ترجمه مقاله تقویت کننده با کاربرد بایو کم نویز کم توان ۱ ولتی بر مبنای دنبال کننده ولتاژ فلیپ شده – نشریه IEEE

عنوان فارسی: | یک تقویت کننده با کاربرد بایو کم نویز کم توان 1 ولتی بر مبنای دنبال کننده ولتاژ فلیپ شده |
عنوان انگلیسی: | A 1V Low-Power Low-Noise Biopotential Amplifier Based on Flipped Voltage Follower |
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 4 | تعداد صفحات ترجمه فارسی : 8 |
سال انتشار : 2015 | نشریه : آی تریپل ای - IEEE |
فرمت مقاله انگلیسی : PDF | فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده |
کد محصول : 8347 | رفرنس : دارد |
محتوای فایل : zip | حجم فایل : 687.95Kb |
رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق |
گرایش های مرتبط با این مقاله: مهندسی الکترونیک، سیستم های قدرت، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی و مدارهای مجتمع الکترونیک |
مجله: کنفرانس بین المللی الکترونیکها، مدارها و سیستم ها - International Conference on Electronics |
دانشگاه: گروه مهندسی الکترونیک، دانشکده فنی Military، مصر |
کلمات کلیدی: تقویت کننده های بایو، نویز کم، طراحی مدار کم قدرت، تقویت کننده عصبی |
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: ترجمه شده است |
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: ترجمه نشده است |
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است |
چکیده
معرفی
OTA ارایه شده
نتایج شبیه سازی تقویت کننده بایو
نتیجه گیری
Abstract
This paper presents a low-voltage low-power lownoise amplifier suitable for neural recording applications. Based on the flipped voltage follower (FVF) topology, the amplifier is able to operate under a 1V supply by alleviating the tradeoff between the noise and the voltage headroom. A gm-cell was built using FVF, its effective transconductance is not a function of the bias current, so the noise contribution of the output transistors can be decreased without increasing the bias current. This amplifier is designed and simulated in a 130 nm CMOS process. The amplifier consumes 2.2 μW from 1V supply voltage. The input referred noise is 3.7 μVrms. The amplifier has a BW from 25 Hz to 9.9 kHz.
چکیده
این مقاله یک تقویت کننده کم نویز،کم توان و کم ولتاژ مناسب را برای اپلیکیشن های ثبت سیگنال عصبی ارایه میدهد.ب رمبنای توپولوژی دنبال کننده ولتاژ فلیپ (FVF)،تقویت کننده قادر به راه اندازی توسط ولتاژ 1ولت با کاهش تضاد بین نویز و سقف ولتاژ است.
یک سلول gm با بکارگیری FVF ساخته شد،که هدایت انتقالی موثر آن تابعی از جریان بایاس نبود، بنابراین سهم نویز ترانزیستورهای خروجی میتواند بدون افزایش جریان بایاس کاهش یابد. این تقویت کننده در فرآیندCMOS 130nm شبیه سازی شد.این تقویت کننده توانی برابر 2.2μW مصرف میکند و ولتاژ تغذیه ی آن 1 ولت است.نویز ارجاع به ورودی 3.7μV_rms است و همجنین این تقویت کننده دارای محدوده پهنای باند از 25هرتز تا 9.9کیلو هرتز است.