ترجمه مقاله پاک کردن/ضبط 20 Mb/s حافظه فلش توسط عملیاتی نامتقارن - نشریه IEEE

قیمت خرید این محصول

۱۳۲,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

پاک کردن/ضبط 20 Mb/s حافظه فلش توسط عملیاتی نامتقارن

عنوان انگلیسی

20-Mb/s Erase/Record Flash Memory by Asymmetrical Operation

صفحات مقاله فارسی

صفحات مقاله انگلیسی

سال انتشار

1998

نشریه

آی تریپل ای - IEEE

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد

کد محصول

6683

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول

ترجمه شده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول

ترجمه نشده است

وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه

به صورت عکس، درج شده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق

گرایش های مرتبط با این مقاله

مهندسی الکترونیک و سیستم های الکترونیک دیجیتال

مجله

مجله مدارهای حالت جامد - JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS

دانشگاه

آزمایشگاه الکترونیک (LEG)، موسسه تکنولوژی فدرال سوئیس در لوزان، توکیو، ژاپن

کلمات کلیدی

عملیات نامتقارن، حافظه فلش، HDTV، دوربین فیلم

۰.۰ (هنوز امتیازی ثبت نشده است)

فهرست مطالب

چکیده
1. مقدمه
2. مفهوم عملیات پاک کردن/ضبط نامتقارن
A. پاک کردن و ضبط سنتی
B. پاک کردن و ضبط متقارن
3. عملیات و عملکرد
4. ضبط با بازده بالا
5. پاک کردن سرعت بالا
6. اختلالات و نگهداری
7. نتیجه گیری

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

Abstract

An asymmetrical recording and erasing operation of Flash memory is proposed where the threshold voltage of erase and record states are set above the thermal equilibrium threshold voltage. The recording rate is made ten times faster by using this method along with two other proposed methods: accurate control of the fastest bit and continuous recording using two memory banks. The erasing rate is also made ten times faster by using large-scale parallel operation made practical by a proposed multiphase word-driving scheme. These proposed circuit technologies will enable 20-Mb/s erase/record Flash memories for use in personal high-definition television (HDTV) movie cameras.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکیده
عملیات ضبط و پاک کردن نامتقارن حافظه فلش جایی پیشنهاد شده است که در آن ولتاژ آستانه پاک کردن و ضبط بالاتر از ولتاژ آستانه موزانه ترمال هستند. نرخ ضبط توسط استفاده از این روش در کنار دو روش پیشنهادی دیگر ده برابر سریعتر شده است: کنترل دقیق سریعترین بیت و ضبط مستمر با استفاده دو بانک حافظه. نرخ پاک کردن نیز با استفاده از عملیات موازی مقیاس بزرگ ده برابر سریعتر شده است که توسط طرح هدایت لغت چندفازی پیشنهادی عملی شد. این فناوری های مدار پیشنهادی ضبط/پاک کردن 20 Mb/s حافظه های فلش را برای استفاده در دوربین های فیلمبرداری تلویزیونی شخصی با کیفیت بالا (HDTV) ممکن می کنند.