ترجمه مقاله نقش دوپینگ در ترانزیستورهای نانولوله ای کربن با شکاف های بین سورس/درین - نشریه IEEE

قیمت خرید این محصول

۲۹,۰۰۰ تومان

دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

نقش دوپینگ در ترانزیستورهای نانولوله ای کربن با شکاف های بین سورس/درین

عنوان انگلیسی

Role of Doping in Carbon Nanotube Transistors With Source/Drain Underlaps

صفحات مقاله فارسی

18

صفحات مقاله انگلیسی

7

سال انتشار

2007

نشریه

آی تریپل ای - IEEE

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد

کد محصول

F932

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر

ترجمه شده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر

ترجمه نشده است

وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه

به صورت عکس، درج شده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق

گرایش های مرتبط با این مقاله

مهندسی الکترونیک، اکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی و افزاره های میکرو و نانو الکترونیک

مجله

یافته ها درحوزه نانوتکنولوژی - TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY

دانشگاه

گروه مهندسی برق و الکترونیک، دانشگاه شرق غرب، بنگلادش

کلمات کلیدی

نانولوله کربنی دوپ شده، اتصال فلزی دوپ شده سورس / درین، ترانزیستور اثر میدانی، شکاف بین سورس/درین، اتصال مانع شاتکی صفر

ترجمه این مقاله با کیفیت متوسط انجام شده است. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.

۰.۰ (بدون امتیاز)

امتیاز دهید

فهرست مطالب

چکیده
1. مقدمه
2. مدل
3. نتایج و بحث های عددی
4. نتیجه گیری

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

Abstract

The effects of doping on the performance of coaxially gated carbon nanotube (CNT) field-effect transistors for both zero Schottky-barrier (SB) and doped carbon nanotube contacts are theoretically investigated. For ultrascaled CNTFETs in which the source/drain metal contacts lie 50 nm apart, there is no MOSFETlike contact CNTFET (C-CNTFET) with an acceptable on/off current ratio using a CNT of diameter 1.5 nm and a source/drain voltage 0.4 V. For CNTFETs with source/drain metal contacts either 50 nm or 100 nm apart, there is an optimal doping concentration of 10 3 dopants per atom. The maximum on/off current ratios for the 50 nm CNT/5 nm gate and the 100 nm CNT/10 nm gate SB-CNTFETs are 5 104 and 6 105, respectively. Performance metrics of delay time, cutoff frequency, and LC frequency are presented and compared.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکیده
اثرات دوپینگ روی عملکرد ترانزیستورهای اثر-میدانی (CNT) نانولوله کربنی برای هر دو مانع-شاتکی (SB) صفر و اتصالات نانولوله کربنی دوپ شده به لحاظ نظری بررسی شده اند. برای CNTFETs فوق العاده کوچک که در آن اتصالات فلزی سورس/درین با 50 نانومتر فاصله از هم قرار می گیرند، هیچCNTFET با اتصال MOSFET-مانند (C-CNTFET) با یک نسبت جریان روشن / خاموش قابل قبول با استفاده از CNT با قطر ≥1.5 نانومتر و یک ولتاژ سورس/درین ≥0.4 V وجود ندارد. برای CNTFETs با اتصالات فلزی سورس/درین 50 نانومتر یا 100 نانومتر از هم جدا، غلظت دوپینگ بهینه شده دوپ کننده در هر اتم وجود دارد. حداکثر نسبت های جریان روشن / خاموش برای CNT 50 نانومتر/ گیت 5 نانومتر و CNT 100 نانومتر/ SB-CNTFETs گیت 10 نانومتر به ترتیب 5 104 و 6 105 بودند. معیارهای عملکرد زمان تاخیر، فرکانس قطع، و فرکانس LC ارائه و مقایسه می شوند.