مجله جامد غیر کریستالی - Journal of Non-Crystalline Solids
دانشگاه
مرکز تحقیقات فتوولتائیک، موسسه ملی علوم و فناوری پیشرفته صنعتی، ژاپن
کلمات کلیدی
به دام افتادن حامل، تکنیک پمپ، پروب نوری، سیلیکون بی نظم هیدروژنه (a-Si:H)، سلول های خورشیدی، جریان نوری
doi یا شناسه دیجیتال
https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2016.01.021
ترجمه این مقاله با کیفیت متوسط انجام شده است. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
۰.۰(بدون امتیاز)
امتیاز دهید
فهرست مطالب
چکیده
1. مقدمه
2. تئوری
3. آزمایش
3.1. آماده سازی فیلم های a-Si:H
3.2 اندازه گیری های جریان نوری و تله
3.3 مشخص نمودن حالت شکاف
3.4 سلول های خورشیدی A-Si:H p-i-n
4. نتایج و بررسی
4.1 اشغال تله ها
4.2 منشا حاملان به دام افتاده
4.3 حمل و نقل و به دام افتادن حامل
4.4 توزیع حالت شکاف
4.5 دروازه های شکاف و به دام افتادن حامل
4.6 به دام افتادن حامل و عملکردهای سلول خورشیدی
5. نتایج
نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی
Abstract
Carrier trapping in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) has been investigated by means of an optical pump-probe technique. The trapped carriers (electrons) at the conduction band tail are detected as an increment of the photocurrent, and their density is quantitatively determined under the assumption of carrier generation and recombination kinetics. We find that carrier trapping strongly depends on the band tail distribution in addition to the pump light intensity. Specifically, the trapped electron density increases with the Urbach energy that characterizes the valence band tail broadening. Under the condition of a pump light intensity of 10 mW/cm2 operated at 532 nm, the trapped electron density is determined to be ≈ 4 × 1017 cm− 3 for an intrinsic a-Si:H film with an Urbach energy of 45 mV. The effects of carrier trapping on the device performance are studied in single-junction a-Si:H p-i-n solar cells. The results suggest that carrier trapping causes a reduction in the fill factor of the solar cells.
نمونه چکیده ترجمه متن فارسی
چکیده
به دام افتادن حامل ها در سیلیکون بی نظم هیدروژنه (a-Si:H) توسط تکنیک پمپ-پروب نوری بررسی شده است. حامل های به دام افتاده (الکترون ها) در دم باند هدایت به صورت افزایش تدریجی جریان نوری آشکار می شوند و چگالی آنها از لحاظ کمی تحت فرض تولید حامل و سینتیک بازترکیب تعیین می شود. ما دریافتیم که به دام افتادن حامل شدیداً وابسته به توزیع دم باند و نیز شدت نور پمپ است. به طور مشخص, چگالی الکترون به دام افتاده با انرژی Urbach افزایش می یابد که گسترش دم باند ظرفیت را مشخص می کند. تحت شرایط شدت نور پمپ 10 mW/cm2 بهره برداری شده در 532 نانومتر, چگالی الکترون به دام افتاده تقریباً 4 × 1017 cm−3 برای یک فیلم a-Si:H ذاتی با یک انرژی urbach 45 میلی ولت تعیین شده است. اثرات به دام افتادن حامل در عملکرد این وسیله در سلول های خورشیدی a-Si:H p-i-n تک-پیوند مطالعه شده است. این نتایج نشان می دهند که به دام افتادن حامل موجب کاهش در عامل پر کردن سلول های خورشیدی می شود.
