ترجمه مقاله آنالیز مبتنی بر فیزیک و شبیه سازی نویز 1/ƒ در MOSFET ها - نشریه IEEE

قیمت خرید این محصول

۳۵,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

آنالیزهای مبتنی بر فیزیک و شبیه سازی نویز 1/ƒ در MOSFET ها تحت عملیات سیگنال بزرگ

عنوان انگلیسی

Physics-Based Analysis and Simulation of 1/f Noise in MOSFETs Under Large-Signal Operation

صفحات مقاله فارسی

22

صفحات مقاله انگلیسی

9

سال انتشار

2010

نشریه

آی تریپل ای - IEEE

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد

کد محصول

5702

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر

ترجمه شده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر

ترجمه نشده است

وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه

به صورت عکس، درج شده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق

گرایش های مرتبط با این مقاله

مهندسی الکترونیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی و مدارهای مجتمع الکترونیک

مجله

نتایج بدست آمده در حوزه دستگاه های الکترونی

دانشگاه

موسسه ریز الکترونیک و تئوری مدار ، دانشگاه آلمان

کلمات کلیدی

نویز Cyclostationary، مدل نویز 1/f هوگ، نویز 1/f MOSFETs

۰.۰ (بدون امتیاز)

امتیاز دهید

فهرست مطالب

چکیده
1.مقدمه
2.آنالیز مبتنی بر فیزیک و شبیه سازی نویز 1/ƒ در موسفت ها
3.نتایج عددی
الف )عملیات سیگنال کوچک با مدل تله ی اکسیدی
ب.عملیات LS با مدل تله ی اکسیدی
ج.عملیات LS با مدل تجربی Hooge
4.نتایج

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

Abstract

This paper presents a study on 1/f noise in MOSFETs under large-signal (LS) operation, which is important in CMOS analog and RF integrated circuits. The flicker noise is modeled with noise sources as a perturbation in the semiconductor equations employing McWhorter’s oxide-trapping model and Hooge’s empirical 1/f noise model. Numerical results are shown for 1/f noise in the MOSFET in both small-signal operation and periodic LS operation. It is shown that McWhorter’s model does not give any significant 1/f noise reduction when the oxide traps are distributed uniformly in energy and space. In contrast, Hooge’s model gives almost 6-dB 1/f noise reduction as the gate OFF-voltage decreases below the threshold voltage. It is found that both models fall short of explaining the noise reduction by more than 6 dB, as observed experimentally in the literature. However, when only one active oxide trap is considered, which generates random telegraph signal (RTS) in drain current, the LS operation gives more than 6-dB low-frequency RTS noise reduction.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکیده

این مقاله یک مطالعه روی نویز 1/ƒ در MOSFET ها را تحت عملیات سیگنال کوچک (LS) ، بررسی میکند که در مدار های آنالوگ CMOS و مدار های یکپارچه RF ، مهم است.نویز فلیکر، با استفاده از منابع نویزی، به عنوان یک اخلال در معادلات نیمه رسانا با استفاده از مدل تله ی اکسید McWhorter و مدل تجربی Hooge نویز 1/ƒ ، مدل سازی شد.نتایج عددی، برای نویز 1/ƒ در MOSFET ها ، در عملیات سیگنال کوچک و سیگنال بزرگ متناوب، نشان داده شد.نشان داده شده است که مدل McWhorter ، هیچ کاهش نویز محسوسی برای نویز 1/ƒ ، هنگامی که تله های اکسیدی به صورت یکنواخت در انرژی و مکان توزیع شده است، به دست نمیدهد.در مقابل، مدل Hooge ، تقریبا ، 6 dB کاهش نویز 1/ƒ را ، هنگامی که ولتاژ خاموش گیت، ، به کمتر از سرحد ولتاژ کاهش میابد، ایجاد میکند.مشخص شد که هر دو مدل نمیتوانند کاهش نویزی بیشتر از 6 dB را توضیح دهند، که به صورت آزمایشی در مقالات مشاهده شده است.اما، هنگامی که فقط یک تله ی اکسیدی فعال در نظر گرفته میشود، که باعث ایجاد سیگنال تلگراف اتفاقی در جریان میشود ( RST) ، عملیات LS ، باعث کاهش نویز RTS بیش از 6 dB فرکانس پایین را به دست میدهد.

برچسب‌ها: دانلود رایگان مقالات انگلیسی مهندسی برق