تلفن: ۰۴۱۴۲۲۷۳۷۸۱
تلفن: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴

ترجمه مقاله تعویض کننده سطح ولتاژ آستانه کارآمد با استفاده از آینه جریان ویلسون اصلاح شده – نشریه تیلور و فرانسیس

عنوان فارسی: تعویض کننده سطح ولتاژ آستانه کارآمد با استفاده از آینه جریان ویلسون اصلاح شده برای کاربردهایی با توان پایین
عنوان انگلیسی: An Area Efficient Sub-threshold Voltage Level Shifter using a Modified Wilson Current Mirror for Low Power Applications
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 8 تعداد صفحات ترجمه فارسی : 12 (1 صفحه رفرنس انگلیسی)
سال انتشار : 2019 نشریه : تیلور و فرانسیس - Taylor & Francis
فرمت مقاله انگلیسی : pdf و ورد تایپ شده با قابلیت ویرایش فرمت ترجمه مقاله : pdf و ورد تایپ شده با قابلیت ویرایش
فونت ترجمه مقاله : بی نازنین سایز ترجمه مقاله : 14
نوع مقاله : ISI نوع ارائه مقاله : ژورنال
کد محصول : 10230 وضعیت ترجمه : ترجمه شده و آماده دانلود
محتوای فایل : zip حجم فایل : 2.58Mb
رشته و گرایش های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق، مهندسی الکترونیک، مدارهای مجتمع الکترونیک، سیستم های قدرت، مهندسی کنترل
مجله: مجله تحقیقات IETE
دانشگاه: موسسه فناوری، مدیریت و علوم Neotia، جینگا، هند
کلمات کلیدی: آینه جریان، شبیه سازی CAD، تعویض کننده سطح (LS)، انرژی پایین، عملیات زیرآستانه، ترانزیستور معمول (TT)
کلمات کلیدی انگلیسی: Current mirror - CAD simulation - Level shifter (LS) - Low power - Sub-threshold operation - Typical transistor (TT)
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: ترجمه نشده است ☓
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: ترجمه نشده است ☓
وضعیت ترجمه منابع داخل متن: درج نشده است ☓
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است
ضمیمه: ندارد
بیس: نیست ☓
مدل مفهومی: ندارد ☓
پرسشنامه: ندارد ☓
متغیر: ندارد ☓
رفرنس: دارای رفرنس در داخل متن و انتهای مقاله
رفرنس در ترجمه: در انتهای مقاله درج شده است
doi یا شناسه دیجیتال: https://doi.org/10.1080/03772063.2019.1615389
ترجمه این مقاله با کیفیت عالی آماده خرید اینترنتی میباشد. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
فهرست مطالب

چکیده

مقدمه

مطالعات قبلی

طرح LS پیشنهادی

تجزیه و تحلیل منطقی

ویژگی ها

نتایج شبیه سازی

تجزیه و تحلیل تاخیر

تجزیه و تحلیل انرژی در هر گذار

تجزیه و تحلیل قدرت

تجزیه و تحلیل قیاسی

نتیجه گیری

نمونه متن انگلیسی

ABSTRACT

In the present communication, a new technique has been introduced for implementing low-power area efficient sub-threshold voltage level shifter (LS) circuit. The proposed LS circuit consists of only nine transistors and can operate up to 100 MHz of input frequency successfully. The proposed LS is made of single threshold voltage transistors which show least complexity in fabrication and better performance in terms of delay analysis and power consumption compared to other available designs. CAD tool-based simulation at TSMC 180 nm technology and comparison between the proposed design and other available designs show that the proposed design performs better than other state-of-the-art designs for a similar range of voltage conversion with the most area efficiency.

نمونه متن ترجمه

چکیده

در ارتباطات فعلی، یک تکنیک جدید برای پیاده سازی مدار تعویض کننده سطح ولتاژ آستانه کارآمد ناحیه کم توان (LS) معرفی شده است. مدار LS پیشنهادی تنها شامل نه ترانزیستور است و می تواند تا 100 مگاهرتز فرکانس ورودی با موفقیت عمل کند. LS پیشنهادی از ترانزیستور های ولتاژ تک آستانه ساخته شده است که نشان دهنده کم ترین پیچیدگی در ساخت و عملکرد بهتر از نظر تجزیه و تحلیل تاخیر و مصرف برق در مقایسه با سایر طرح های موجود می باشد. شبیه سازی مبتنی بر ابزار CAD در فناوری TSMC 180 نانومتر و مقایسه بین طرح پیشنهادی و سایر طرح های موجود نشان می دهد که طرح پیشنهادی برای طیف مشابهی از تبدیل ولتاژ با بیش ترین بهره وری ناحیه، بهتر از سایر طرح های جدید عمل می کند.