دانلود ترجمه مقاله استخراج پارامتر نویز ۱/F ترانزیستور

قیمت خرید این محصول

۱۲,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

مدارهای اندازه گیری و پردازش داده به منظور استخراج پارامتر نویز ۱/F ترانزیستور

عنوان انگلیسی

MEASUREMENT CIRCUITS AND DATA PROCESSING FOR TRANSISTOR 1/F NOISE PARAMETER EXTRACTION

صفحات مقاله فارسی

9

صفحات مقاله انگلیسی

6

سال انتشار

2002

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد

کد محصول

3156

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول

ترجمه شده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول

ترجمه نشده است

وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه

به صورت تصویر درج شده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق

گرایش های مرتبط با این مقاله

برق الکترونیک و برق مخابرات

مجله

سری مقالات علمی مخابرات و الکترونیک

دانشگاه

دانشگاه فنی ریگا

کلمات کلیدی

ترانزیستور، نویز 1/f، مدار اندازه گیری، استخراج پارامتر، صحت

فهرست مطالب

– مقدمه
– مدار اندازه گیری و شرایط اندازه گیری
– مدار اندازه گیری با فیدبک مشترک
– پردازش داده های اندازه گیری نویز
– اندازه گیری نویز FET
– نتایج

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

Introduction

Despite enormous developments in semiconductor technology low frequency noise is still a problem. It is an important factor determining C/N ratio of modern communication equipment (phase noise in oscillators, noise in direct conversion receivers, etc.). Its value can not be theoretically predicted with the needed accuracy. At the same time low frequency noise reflects internal processes of semiconductor devices. Targeted noise measurement can be used to determine some specific semiconductor technology features [1,2] that could lead to technology improvements. Therefore, experimental determination of noise parameters during the manufacturing process is of utmost importance. These parameters are also used in SPICE and other simulation software models instead of the default simplified 1/f noise model [3,4]. In this paper features of three widely used noise measurement circuit configurations are analysed and application options discussed. Methodology of measurement data processing and extraction of 1/f noise parameters is proposed. As an example analysis of FET noise measurement and parameter extraction is given.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

مقدمه
علی رغم پیشرفتهای متعدد در زمینه فناوری نیمه هادی، نویزکم فرکانس هنوز یک مشکل عمده محسوب می گردد که عامل تعیین کننده نسبت C/N تجهیزات ارتباطی مدرن تلقی می گردد ( نویز فاز در اوسیلاتورها، نویز در گیرنده های تبدیل مستقیم و ...). ارزش آن را نمی توان از لحاظ فیزیکی با صحت مورد نیاز پیش بینی نمود. نویز کم فرکانس بازتابی از فرایندهای داخلی دستگاههای نیمه هادی می باشد. برای تعیین بعضی از ویژگیهای خاص فناوری نیمه هادی که منجر به پیشرفتهای فناوری می شوند، می توان از روش اندازه گیری نویز هدف استفاده نمود. بنابراین، تعیین پارامترهای نویز به روش آزمایشی در طول فرایند تولید از اهمیت بسیار زیادی برخوردار می باشد. به جای مدل نویز ساده شده پیش فرض 1/f از این پارامترها در SPICE و سایر مدلهای نرم افزار شبیه سازی استفاده شده است. در این مقاله، ویژگیهای سه پیکره بندی مدار اندازه گیری نویز بکار رفته مورد تحلیل قرار گرفته و راجع به گزینه های کاربردی آن بحث شده است. روش پردازش و استخراج داده های اندازه گیری پارامترهای نویز 1/f نیزپیشنهاد شده است. به طور مثال، روش تحلیل اندازه گیری نویز FET و استخراج داده مطرح شده است.