دانلود ترجمه مقاله مشخصات RF ترانزیستور CMOS

قیمت خرید این محصول

۳۱,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

مشخصات RF در ترانزیستور CMOS um ۰.۱۸

عنوان انگلیسی

RF Characteristics of 0.18um CMOS Transistors

صفحات مقاله فارسی

9

صفحات مقاله انگلیسی

4

سال انتشار

2002

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

کد محصول

4130

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول

ترجمه شده است

وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه

به صورت عکس، درج شده است

رشته های مرتبط با این مقاله

فوتونیک، مهندسی برق و فیزیک

گرایش های مرتبط با این مقاله

فوتونیک، مهندسی الکترونیک، افزاره های میکرو و نانو الکترونیک، سیستم های الکترونیک دیجیتال، برق مخابرات و شبکه های مخابراتی

مجله

مجله کره ای انجمن فیزیک

دانشگاه

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه علم و صنعت کره جنوبی

۰.۰ (بدون امتیاز)

امتیاز دهید

فهرست مطالب

۱ مقدمه
۲ اندازه‌گیری‌ها
۳ نتایج و بحث‌ها
۴ نتیجه

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

INTRODUCTION

The strongly emerging wireless communication market needs device technologies that are capable of producing high product volumes at extremely low cost [1]. III-V compound semiconductor devices, which include MESFET’s, HEMT’s, and HBT’s, have been used in microwave electronic circuits because of good highfrequency performance [2]. However, these devices are limited to a specific area due to high fabrication cost. On the other hand, due to the continuous reduction of minimum channel length in CMOS technologies, CMOSs have become candidates for RF applications. By using CMOS devices in IF and RF modules in wireless communication systems, we can integrate the system in a single chip. Consequently, substantial research is in progress today to investigate and increase the performance of CMOS devices for RF applications. By using a layout optimization technique, which reduces the parasitic components, we can obtain good RF characteristics for MOSFETs [3].

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

مقدمه
بازار ارتباطات بی‌سیم نوظهور قوی نیازمند تکنولوژی وسایلی است که قابلیت حجم تولیدات بالا در هزینه فوق‌العاده پایین را دارند [1]. دستگاه‌های نیمه‌هادی ترکیب‌شده III-V، که شامل MOSFET، HEMT، و HBT، است در مدارهای الکترونیکی مایکروویو بدلیل عملکرد خوب فرکانس بالا استفاده‌شده است [2]. بااین حال، این وسایل به نواحی ویژه باتوجه به هزینه ساخت بالا محدود می‌شود. از طرفی دیگر، باتوجه به کاهش پیوسته حداقل طول کانال‌ها در تکنولوژی CMOS، CMOSبه یکی از کاندید‌های کاربردهای RFتبدیل شده‌است. با استفاده از وسایل CMOS در مدول‌های IF و RF در سیستم ارتباطات بی‌سیم، می‌توانیم سیستم را در تنها یک تراشه یکپارچه‌کنیم. در نتیجه، پژوهش‌های قابل توجه در پیشرفت‌های امروز برای بررسی و افزایش عملکرد وسایل CMOS برای کاربردهای RFاست. بااستفاده از تکنیک بهینه‌سازی طرح، که مولفه‌های پارازیت‌ را کاهش می‌دهد، می‌توانیم خصیصه RF خوب را برای MOSFET بدست آوریم [3]. در این مقاله، فرکانس قطع (FT) و خصیصه حداکثر فرکانس نوسان (fmax) MOSFET با انواع طرح‌ها نشان داده‌شده است.

برچسب‌ها: دانلود رایگان مقالات انگلیسی مهندسی برق، دانلود رایگان مقالات انگلیسی فیزیک، دانلود رایگان مقالات انگلیسی فوتونیک