منوی کاربری
  • پشتیبانی: ۴۲۲۷۳۷۸۱ - ۰۴۱
  • سبد خرید

ترجمه مقاله رگولاتور کم توان و LIR پایین برای برچسب RFID غیرفعال در فناوری CMOS 0.18 μm - نشریه تیلور و فرانسیس

ترجمه مقاله رگولاتور کم توان و LIR پایین برای برچسب RFID غیرفعال در فناوری CMOS 0.18 μm - نشریه تیلور و فرانسیس
قیمت خرید این محصول
۴۱,۰۰۰ تومان
دانلود مقاله انگلیسی
عنوان فارسی
رگولاتور کم توان و LIR پایین برای برچسب RFID غیرفعال در فناوری CMOS 0.18 μm
عنوان انگلیسی
A Low Power and Low LIR Regulator for Passive RFID Tag in 0.18 µm CMOS Technology
صفحات مقاله فارسی
21
صفحات مقاله انگلیسی
11
سال انتشار
2015
رفرنس
دارای رفرنس در داخل متن و انتهای مقاله
نشریه
تیلور و فرانسیس - Taylor & Francis
فرمت مقاله انگلیسی
PDF
فرمت ترجمه مقاله
pdf و ورد تایپ شده با قابلیت ویرایش
فونت ترجمه مقاله
بی نازنین
سایز ترجمه مقاله
14
نوع مقاله
ISI
نوع نگارش
مقالات پژوهشی (تحقیقاتی)
نوع ارائه مقاله
ژورنال
پایگاه
اسکوپوس
ایمپکت فاکتور(IF) مجله
1.639 در سال 2019
شاخص H_index مجله
22 در سال 2020
شاخص SJR مجله
0.233 در سال 2019
شناسه ISSN مجله
0377-2063
شاخص Q یا Quartile (چارک)
Q4 در سال 2019
کد محصول
11205
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول
ترجمه شده است ✓
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول
ترجمه نشده است ☓
وضعیت ترجمه منابع داخل متن
به صورت عدد درج شده است ✓
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه
به صورت عکس، درج شده است ✓
ضمیمه
ندارد ☓
بیس
نیست ☓
مدل مفهومی
ندارد ☓
پرسشنامه
ندارد ☓
متغیر
ندارد ☓
رفرنس در ترجمه
در انتهای مقاله درج شده است
رشته و گرایش های مرتبط با این مقاله
مهندسی برق، فناوری اطلاعات، فناوری اطلاعات و ارتباطات، برق مخابرات، سامانه های شبکه ای، مخابرات سیار، سیستم های چندرسانه ای
مجله
مجله تحقیقاتی موسسه مهندسین الکترونیک و مخابرات - IETE Journal of Research
دانشگاه
گروه برق و الکترونیک، دانشگاه صنعتی شیراز، ایران
کلمات کلیدی
باند گپ مرجع، LIR، توان مصرفی کم، OPA، رگولاتور، RFID
کلمات کلیدی انگلیسی
Bandgap reference - LIR - Low power consumption - OPA - Regulator - RFID
doi یا شناسه دیجیتال
https://doi.org/10.1080/03772063.2015.1021390
۰.۰ (بدون امتیاز)
امتیاز دهید
فهرست مطالب
چکیده
1. مقدمه
2. ساختار کلی رگولاتور پیشنهادی
3. BGR پیشنهادی
3 – 1: مدار منبع جریان
3 – 2: ژنراتور ولتاژ PTAT و CTAT
3 – 3: مدار میانگین ولتاژ
4. OPA پیشنهادی
4 – 1: هسته مدار OPA
4 – 2: قطعات بایاس تطبیقی
4 – 3: بارهای فعال خروجی به عنوان معکوس کننده
5. پیکربندی مقاومت های نمونه ولتاژ با MOSFET
6. نتایج شبیه سازی
6 – 1: نتایج شبیه سازی BGR
6 – 2: نتایج شبیه سازی OPA
6 – 3: شبیه سازی مقاومت پایه با ولتاژ کنترل شده
6 – 4: نتایج شبیه سازی رگولاتور یشنهادی
7. نتیجه گیری
تصاویر فایل ورد ترجمه مقاله (جهت بزرگنمایی روی عکس کلیک نمایید)
11205-IranArze     11205-IranArze1     11205-IranArze2
نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی
ABSTRACT

This paper proposes a low power and low output ripple regulator for radio frequency identification tags. The inner blocks of regulator is supplied from elementary stages output of rectifier. The proposed operational amplifier works on AB class and its bias is in adaptive biasing form. The bandgap reference and sampling voltage resistors used in this paper are completely designed with transistors which culminate in low power dissipation. The regulator output voltage is 1.07 V, while the output ripple is ±1.1 mV. The value of line regulation, power supply rejection ratio, and regulator efficiency are 5.5 mV/V, 45.2 dB, and 71.3%, respectively. A 111 µW power consumption has been calculated with 20 KΩ load. The simulation is done with the help of Cadence software in 0.18 µm CMOS technology, while its operational frequency is 960 MHz. The layout of the proposed regulator is 0.00125 mm2.

1. INTRODUCTION

The RFID technology is recently improved and has a great development. The passive tag is more considered as it has longer lifetime and lower cost fabrication. For increasing the communication range between tag and reader, low power dissipation circuits are employed.

Figure 1 shows the tag supply block. The transmitted waves from reader are received with tag antenna and are converted into sinusoidal signal. The generated AC signal is converted into DC voltage with the help of voltage regulator. When tag and reader are close to each other, the voltage limiter should be used to ban the damage of tag chip. The rectifier output voltage has probably the ripple which indicates it is not completely rectified. Therefore, a regulator is applied for eliminating ripple. Since different tag blocks need various voltage levels, DC-DC convertor is used. In this paper the regulator block is evaluated.

7. CONCLUSION

In this paper, a regulator circuit working at 960 MHz frequency is presented for RFID tag. For supplying the circuit, two voltage levels, 0.5 and 1.5 V, which are gained from the elementary and the extremity stage of the rectifier, are used. For decreasing the power consumption, sub-blocks are supplied with 0.5 V. By using adaptive biasing for OPA and total MOSFET structure for regulator, the power consumption and chip area are decreased. The power consumption of the circuit for 20 KV load resistor is about 111 mW, while its chip area is 0.00125 mm2 . The sinusoidal input voltage ripple for Vin,low and Vin,high are considered 100 and 400 mV, respectively. Due to these assumptions for simulation, the output voltage is achieved 1.07 V with §1.1 mV ripple. The LIR and PSRR are 5.5 mV/V and -45 dB, respectively

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی
چکیده

این مقاله یک رگولاتور موجک (ریپل) کم توان و خروجی پایین برای برچسب های شناسایی رادیو فرکانسی ارائه می دهد. قطعه های داخلی رگولاتور از خروجی مراحل ابتدایی یکسو کننده تامین شده اند. تقویت کننده عملیاتی پیشنهادی بر روی کلاس AB کار می کند و بایاس آن در فرم بایاس تطبیقی می باشد. باند گپ مرجع و مقاومت های ولتاژ نمونه مورد استفاده در این مقاله به طور کامل با ترانزیستورهایی طراحی شده است که در توان اتلافی کم به اوج می رسند. ولتاژ خروجی رگولاتور برابر با 1.07 V است، درحالی که موجک خروجی نیز برابر با ± 1.1 mV می باشد. مقدار تنظیم خطی، نسبت رد منبع تغذیه، و راندمان رگولاتور نیز به ترتیب برابر است با 5.5 mV، 45.2 dB و 71.3%. توان مصرفی 111 μW با بار 20 KΩ محاسبه شده است. شبیه سازی با کمک نرم افزار Cadence در فناوری 0.18 μm CMOS انجام شده است، درحالی که فرکانس عملکردی آن برابر با 960 MHz می باشد. طرح بندی رگولاتور پیشنهادی نیز 0.00125 mm^2 است.

مقدمه

فناوری RFID اخیرا توسعه یافته است و یک پیشرفت چشمگیر نیز داشته است. برچسب غیرفعال بسیار کاربرد دارد زیرا طول عمر بیشتر و هزینه ساخت کمتری دارد. برای افزایش محدوده ارتباطات بین برچسب و خواننده، مدارهای با توان اتلافی کم بکار می رود.

شکل 1 قطعه تامین برچسب را نشان می دهد. امواج منتقل شونده از خواننده با آنتن برچسب دریافت و به سیگنال سینوسی تبدیل می شوند. سیگنال AC ایجادشده با کمک رگولاتور ولتاژ به ولتاژ DC تبدیل می-شود. وقتی برچسب و خواننده (قرائت کننده) نزدیک به یکدیگر باشند، محدودکننده ولتاژ می بایست به منظور جلوگیری از آسیب به تراشه برچسب استفاده شود. ولتاژ خروچی یکسوکننده احتمالا دارای موجک باشد که نشان می دهد به طور کامل یکسوشده نیست. بنابراین، رگولاتور برای حذف ریپل (موجک) اعمال می شود. چون قطعه برچسب های مختلف نیاز به سطوح ولتاژ متفاوت دارند، مبدل DC-DC بکار می رود. در این مقاله، قطعه رگولاتور ارزیابی شده است.

نتیجه گیری

در این مقاله، مدار رگولاتور که در فرکانس 960 MHz کار می کند، برای برچسب RFID ارائه شده است. برای تامین مدار، دو سطح ولتاژ، 0.5 V و 1.5 V، که از مرحله اولیه و نهایی یکسوکننده بدست آمده اند، بکار رفته است. برای کاهش توان مصرفی، زیرقطعات با 0.5 V تامین شده اند. با استفاده از بایاس تطبیقی برای OPA و ساختار MOSFET کلی برای رگولاتور، توان مصرفی و مساحت تراشه کاهش یافت. توان مصرفی مدار برای مقاومت بار 20 KΩ حدودا 111 μW است، درحالی که مساحت تراشه آن برابر با 0.00125 mm^2 می باشد. موجک ولتاژ ورودی سینوسی برای V_(in,low) و V_(in,high) به ترتیب 100 و 400 Mv درنظر گرفته شده است. به دلیل این فرضیات برای شبیه سازی، ولتاژ خروجی با موجک ±1 mV برابر با 1.07 V بدست آمد. LIR و PSRR نیز به ترتیب برابر با 5.5 mV/V و -45 dB می باشند.


بدون دیدگاه