ترجمه مقاله تقویت کننده کم نویز LNA) UWB) با حالت خطی بالا و کم توان برای کاربرد های 3.1-10.6 GHz - نشریه الزویر

قیمت خرید این محصول

۱۴۰,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

یک تقویت کننده کم نویز LNA) UWB) با حالت خطی بالا و کم توان برای کاربرد های 3.1-10.6 GHz در فرآیند های CMOS با ابعاد 0.13 um

عنوان انگلیسی

A low power and high linearity UWB low noise amplifier (LNA) for 3.1–10.6 GHz wireless applications in 0.13 mm CMOS process

صفحات مقاله فارسی

22

صفحات مقاله انگلیسی

9

سال انتشار

2013

نشریه

الزویر - Elsevier

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد

کد محصول

6408

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول

ترجمه شده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول

ترجمه نشده است

وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه

به صورت عکس، درج شده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق

گرایش های مرتبط با این مقاله

مهندسی الکترونیک، الکتروتکنیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی، مدارهای مجتمع الکترونیک و مکاترونیک

مجله

Microelectronics Journal

دانشگاه

دانشکده مهندسی برق، دانشگاه شهید باهنر کرمان، ایران

کلمات کلیدی

CMOS خطی بودن بالا، تقویت کننده کم نویز، پهنای باند فوق العاده، بي سيم، Cascode

۰.۰ (هنوز امتیازی ثبت نشده است)

فهرست مطالب

چکیده
1. مقدمه
2. شبکه تطبیق امپدانس ورودی
3. شرایط بایاس و تحلیل خطی بودن
3.1 تحلیل تکنیک های FBB
3.2 تحلیل خطی بودن
4. تحلیل بهره و نویز
4.1 تحلیل های بهره مرحله اول
4.2 تحلیل نویز
4.2.1 منبع نویز
4.2.2 نویز خروجی مرحله اول
5. ملاحظات طراحی
6. نتایج شبیه سازی و مباحث
7. جمع بندی

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

Abstract

In this paper, a low power ultra-wideband (UWB) CMOS LNA was designed exploiting source inductive degeneration technique operating in the frequency range of 3.1–10.6 GHz. In order to achieve low noise figure and high linearity simultaneously, a modified three-stage UWB LNA with inter-stage inductors was proposed. Forward Body-Biased (FBB) technique was used to reduce threshold voltage and power consumption at the first and third stages. The second stage is a push–pull topology exploiting the complementary characteristics of NMOS and PMOS transistors to enhance the linearity performance. The proposed LNA was simulated in standard 0.13 mm CMOS process

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکیده
در این مقاله، یک LNA کم توان به صورت پهن باند گسترده ( UWB) CMOS طراحی شده است که از تکنیک های انحطاط منبع به صورت القایی در گستره فرکانسی 3.1–10.6 GHz کار میکند. برای این که بتوانیم یک حالت کم نویز با خطیت بالا به صورت همزمان به دست بیاوریم، یک UWB LNA سه مرحله ای اصلاح شده با القا کننده های میان مرحله ای پیشنهاد شده است. تکنیک های بایاس بدنه به صورت رو به جلو ( FBB) برای کاهش ولتاژ سرحد و مصرف توان در مرحله ی نخست و مرحله ی سوم، استفاده شده است. مرحله ی دوم نیز یک طراحی فشاری و کششی است که از مشخصه های تکمیلی ترانزیستور های NMOS و PMOS استفاده میکند تا بتواند عملکرد خطی را بهبود بخشد. LNA های پیشنهاد شده بر روی فرآیند های CMOS با سایز 0.13 um شبیه سازی شده است.