تلفن: ۰۴۱۴۲۲۷۳۷۸۱
تلفن: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴

ترجمه مقاله تقویت کننده کم نویز LNA) UWB) با حالت خطی بالا و کم توان برای کاربرد های ۳٫۱-۱۰٫۶ GHz – نشریه الزویر

عنوان فارسی: یک تقویت کننده کم نویز LNA) UWB) با حالت خطی بالا و کم توان برای کاربرد های 3.1-10.6 GHz در فرآیند های CMOS با ابعاد 0.13 um
عنوان انگلیسی: A low power and high linearity UWB low noise amplifier (LNA) for 3.1–10.6 GHz wireless applications in 0.13 mm CMOS process
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 9 تعداد صفحات ترجمه فارسی : 22
سال انتشار : 2013 نشریه : الزویر - Elsevier
فرمت مقاله انگلیسی : PDF فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده
کد محصول : 6408 رفرنس : دارد
محتوای فایل : zip حجم فایل : 2.57Mb
رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله: مهندسی الکترونیک، الکتروتکنیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی، مدارهای مجتمع الکترونیک و مکاترونیک
مجله: Microelectronics Journal
دانشگاه: دانشکده مهندسی برق، دانشگاه شهید باهنر کرمان، ایران
کلمات کلیدی: CMOS خطی بودن بالا، تقویت کننده کم نویز، پهنای باند فوق العاده، بي سيم، Cascode
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: ترجمه شده است
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: ترجمه نشده است
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است
ترجمه این مقاله با کیفیت عالی آماده خرید اینترنتی میباشد. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
فهرست مطالب

چکیده

1. مقدمه

2. شبکه تطبیق امپدانس ورودی

3. شرایط بایاس و تحلیل خطی بودن

3.1 تحلیل تکنیک های FBB

3.2 تحلیل خطی بودن

4. تحلیل بهره و نویز

4.1 تحلیل های بهره مرحله اول

4.2 تحلیل نویز

4.2.1 منبع نویز

4.2.2 نویز خروجی مرحله اول

5. ملاحظات طراحی

6. نتایج شبیه سازی و مباحث

7. جمع بندی

نمونه متن انگلیسی

Abstract

In this paper, a low power ultra-wideband (UWB) CMOS LNA was designed exploiting source inductive degeneration technique operating in the frequency range of 3.1–10.6 GHz. In order to achieve low noise figure and high linearity simultaneously, a modified three-stage UWB LNA with inter-stage inductors was proposed. Forward Body-Biased (FBB) technique was used to reduce threshold voltage and power consumption at the first and third stages. The second stage is a push–pull topology exploiting the complementary characteristics of NMOS and PMOS transistors to enhance the linearity performance. The proposed LNA was simulated in standard 0.13 mm CMOS process

نمونه متن ترجمه

چکیده

در این مقاله، یک LNA کم توان به صورت پهن باند گسترده ( UWB) CMOS طراحی شده است که از تکنیک های انحطاط منبع به صورت القایی در گستره فرکانسی 3.1–10.6 GHz کار میکند. برای این که بتوانیم یک حالت کم نویز با خطیت بالا به صورت همزمان به دست بیاوریم، یک UWB LNA سه مرحله ای اصلاح شده با القا کننده های میان مرحله ای پیشنهاد شده است. تکنیک های بایاس بدنه به صورت رو به جلو ( FBB) برای کاهش ولتاژ سرحد و مصرف توان در مرحله ی نخست و مرحله ی سوم، استفاده شده است. مرحله ی دوم نیز یک طراحی فشاری و کششی است که از مشخصه های تکمیلی ترانزیستور های NMOS و PMOS استفاده میکند تا بتواند عملکرد خطی را بهبود بخشد. LNA های پیشنهاد شده بر روی فرآیند های CMOS با سایز 0.13 um شبیه سازی شده است.