ترجمه مقاله حسگرهای یکپارچه پیکسل فعال (MAPS) در یک فناوری VLSI CMOS – نشریه الزویر
عنوان فارسی: | حسگرهای یکپارچه پیکسل فعال (MAPS) در یک فناوری VLSI CMOS |
عنوان انگلیسی: | Monolithic active pixel sensors (MAPS) in a VLSI CMOS technology |
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 9 | تعداد صفحات ترجمه فارسی : 13 |
سال انتشار : 2003 | نشریه : الزویر - Elsevier |
فرمت مقاله انگلیسی : PDF | فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده |
کد محصول : F674 | رفرنس : دارد ✓ |
محتوای فایل : zip | حجم فایل : 1.48Mb |
رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق و فیزیک |
گرایش های مرتبط با این مقاله: مهندسی الکترونیک، مهندسی کنترل، ابزار دقیق و ذرات بنیادی |
مجله: ابزارهای هسته ای و روش های تحقیق فیزیک A |
دانشگاه: دانشگاه لیورپول، گروه فیزیک، انگلستان |
کلمات کلیدی: ردیابهای حالت جامد، کمسروصدا، CMOS، تصویربرداری، پیکسل |
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر : ترجمه شده است ✓ |
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر : ترجمه نشده است ☓ |
وضعیت ترجمه منابع داخل متن: به صورت عدد درج شده است ✓ |
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است ✓ |
چکیده
1- مقدمه
2- حسگرهای CMOS برای ردیابی ذرات
3- معماری پیکسل برای HEP
4- نتیجهگیری
Abstract
Monolithic Active Pixel Sensors (MAPS) designed in a standard VLSI CMOS technology have recently been proposed as a compact pixel detector for the detection of high-energy charged particle in vertex/tracking applications. MAPS, also named CMOS sensors, are already extensively used in visible light applications. With respect to other competing imaging technologies, CMOS sensors have several potential advantages in terms of low cost, low power, lower noise at higher speed, random access of pixels which allows windowing of region of interest, ability to integrate several functions on the same chip. This brings altogether to the concept of ‘camera-on-a-chip’. In this paper, we review the use of CMOS sensors for particle physics and we analyse their performances in term of the efficiency (fill factor), signal generation, noise, readout speed and sensor area. In most of high-energy physics applications, data reduction is needed in the sensor at an early stage of the data processing before transfer of the data to tape. Because of the large number of pixels, data reduction is needed on the sensor itself or just outside. This brings in stringent requirements on the temporal noise as well as to the sensor uniformity, expressed as a Fixed Pattern Noise (FPN). A pixel architecture with an additional transistor is proposed. This architecture, coupled to correlated double sampling of the signal will allow cancellation of the two dominant noise sources, namely the reset or kTC noise and the FPN. A prototype has been designed in a standard 0.25 mm CMOS technology. It has also a structure for electrical calibration of the sensor. The prototype is functional and detailed tests are under way.
چکیده
حسگرهای یکپارچهی پیکسل فعال (MAPS) که در یک فناوری استاندارد VLSI CMOS اخیراً به عنوان یک ردیاب پیکسل فشرده برای ردیابی ذرهی باردار پرانرژی در کاربردهای نقطه/ردیابی مطرح شدهاست. MAPS که حسگرهای CMOS هم نامیدهمیشوند، هماینک نیز به طور گسترده در کاربردهای نور مرئی به کار میروند. در قیاس با فناوریهای تصویربرداری رقیب، حسگرهای CMOS مزایای بالقوهی زیادی از نظر هزینهی پایین، مصرف انرژی پایین، صدای کمتر در سرعتهای بالا، دسترسی اتفاقی به پیکسلها که انتخاب یک ناحیهی خاص از عکس را ممکن میسازد و توانایی یکپارچهسازی توابع مختلف روی یک چیپ دارا هستند. همهی اینها با هم مفهوم «دوربین روی چیپ» را ایجاد میکنند.
در این مقاله، ما استفاده از حسگرهای CMOS را در فیزیک ذرات مرور کرده و عملکرد آنها را از لحاظ کارایی (فاکتور پرشدن ) تولید سیگنال، سروصدا، سرعت بازخوانی و پهنهی حسگر بررسی کردیم. در بیشتر کاربردهای فیزیک پرانرژی در مرحلهی اولیهی پردازش داده پیش از انتقال داده به نوار، کاهش داده در حسگر نیاز است. به خاطر تعداد زیاد پیکسلها، کاهش داده در داخل حسگر یا خارج آن لازم است. این نیازهای مهم دربارهی سروصدای زمانی و نیز یکنواختی حسگر را که به عنوان سروصدای الگوی ثابت (FPN) شناختهمیشود فراهم میکند.
یک معماری پیکسل با یک ترانزیستور افزوده پیشنهاد شدهاست. این معماری به همراه نمونهبرداری دوگانهی مرتبط از سیگنال (CDS)، امکان حذف دو منبع مهم سروصدا یعنی صدای راهاندازی مجدد یا kTC و FPN را ایجاد میکند. یک نمونهی اولیه در یک فناوری CMOS استاندارد µm25/0 طراحی شد. این طراحی همچنین شامل یک ساختار برای کالیبراسیون الکتریکی حسگر است. نمونهی اولیه کاربردی بوده و تستهای دقیق در حال انجام است.