ترجمه مقاله طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی برای یک مدار ادغام یافته مقاوم به تابش - نشریه IEEE

قیمت خرید این محصول

۱۳۲,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی برای یک مدار ادغام یافته مقاوم به تابش

عنوان انگلیسی

Dummy Gate-Assisted n-MOSFET Layout for a Radiation-Tolerant Integrated Circuit

صفحات مقاله فارسی

18

صفحات مقاله انگلیسی

7

سال انتشار

2013

نشریه

آی تریپل ای - IEEE

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

ندارد

کد محصول

7783

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول

ترجمه نشده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول

ترجمه نشده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق

گرایش های مرتبط با این مقاله

مهندسی الکترونیک، مدارهای مجتمع الکترونیک و الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی

مجله

تراکنش ها در علوم هسته ای - TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE

دانشگاه

بخش مهندسی برق، دانشکده مهندسی برق و علوم کامپیوتری، موسسه پیشرفته علم و صنعت، کره

کلمات کلیدی

طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی، اصلاح طرح، سخت شدن تابش، جریان نشتی ناشی از تابش، دوز یونیزه کلی

۰.۰ (هنوز امتیازی ثبت نشده است)

فهرست مطالب

چکیده
1. مقدمه
2. ساختار N-MOSFET DGA ارائه شده
الف. شرح طرح
ب. ملاحظات طراحی طرح
ج. مشخصات ساختاری
د. سازگاری طرح
3. نتایج شبیه سازی
الف. ساختار با n-MOSFET معمولی
ب. ساختار n-MOSFET DGA ارائه شده
4. نتایج تجربی
5. نتیجه گیری

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

Abstract

A dummy gate-assisted n-type metal oxide semiconductor field effect transistor (DGA n-MOSFET) layout was evaluated to demonstrate its effectiveness at mitigating radiation-induced leakage currents in a conventional n-MOSFET. In the proposed DGA n-MOSFET layout, radiation-induced leakage currents are settled by isolating both the source and drain from the sidewall oxides using a layer and dummy gates. Moreover, the dummy gates and dummy Metal-1 layers are expected to suppress the charge trapping in the sidewall oxides. The inherent structure of the DGA n-MOSFET supplements the drawbacks of the enclosed layout transistor, which is also proposed in order to improve radiation tolerance characteristics. The simulation results of the DGA n-MOSFET layout demonstrated the effectiveness of eliminating such radiation-induced leakage current paths. Furthermore, the radiation exposure experimental results obtained with the fabricated DGA n-MOSFET layout also exhibited good performance with regard to the total ionizing dose tolerance. I

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکیده

یک طرح (DGA n-MOSFET) ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلزی نیمه هادی نوع – n با کمک گیت ساختگی به منظور نشان دادن اثربخشی آن در کاهش جریان های نشتی ناشی از تابش در یک n-MOSFET معمولی ارزیابی می شود. در طرح DGA n-MOSFET ارائه شده، جریان های نشتی ناشی از تابش با مجزاسازی منبع و درین از اکسیدهای پوشه ای با استفاده از یک لایه p + و گیت های ساختگی حل و فصل می شوند. علاوه بر این، انتظار بر این است که گیت های ساختگی و لایه های فلز-1 ساختگی به دام انداختن بار در اکسیدهای پوشه ای را جبرانسازی کنند. ساختار ذاتی DGA n-MOSFET معایب ترانزیستور طرح محصور را تکمیل می کند، که به منظور بهبود مشخصات تحمل تابش ارائه شده است. نتایج شبیه سازی از طرح DGA n-MOSFET نشان دهنده اثربخشی حذف چنین مسیرهای جریان نشت ناشی از تابش است. علاوه بر این نتایج تجربی به دست آمده از قرار گرفتن در معرض تابش با طرح DGA n-MOSFET ساخته شده نیز نشان دهنده عملکرد خوب با توجه به تحمل دوز یونیزه کلی است.