تلفن: ۰۴۱۴۲۲۷۳۷۸۱
تلفن: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴

ترجمه مقاله ابزار CAD پیشرفته برای مدل سازی نویز از ترانزیستورهای اثر میدان میکروموج/ RF – نشریه اشپرینگر

عنوان فارسی: ابزار CAD پیشرفته برای مدل سازی نویز از ترانزیستورهای اثر میدان میکروموج/ RF با عرض های دروازه بزرگ
عنوان انگلیسی: Advanced CAD tool for noise modeling of RF/microwave field effect transistors with large gate widths
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 11 تعداد صفحات ترجمه فارسی : 19
سال انتشار : 2011 نشریه : اشپرینگر - Springer
فرمت مقاله انگلیسی : PDF فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده
کد محصول : 7828 رفرنس : دارد
محتوای فایل : zip حجم فایل : 4.46Mb
رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله: مهندسی الکترونیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی، مدارهای مجتمع الکترونیک، افزاره های میکرو و نانو الکترونیک و مکاترونیک
مجله: پردازش سیگنال و مدارهای مجتمع آنالوگ - Analog Integrated Circuits and Signal Processing
دانشگاه: دانشگاه اوتاوا، کانادا
کلمات کلیدی: CAD، کوپلینگ، FET، نویز، اثرات موج، عرض
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: ترجمه شده است
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: ترجمه نشده است
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است
ترجمه این مقاله با کیفیت عالی آماده خرید اینترنتی میباشد. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
فهرست مطالب

چکیده

1 مقدمه

2 مدل نویز FET ارائه شده

2.1 سه خط انتقال تهییج شده کوپل شده (مدل نویز توزیع شده)

2.2 منابع نویز درونی ترانزیستور

2.3 ماتریس همبستگی نویز ترانزیستور

3 الگوریتم های CAD برای آنالیز نویز از FETهای موج- میلی متری

3.1 اتصال شبکه چند پورته

3.2 ماتریس های نویز همبستگی و پراکندگی

4 نتایج عددی

5 مباحث

6 نتیجه گیری

نمونه متن انگلیسی

Abstract

In the millimeter-wave frequency range, electromagnetic (EM) effects can significantly influence a device behavior. As the core of modern communication systems, active devices such as field effect transistors (FETs) require up-to-date models to accurately integrate such effects, especially in terms of noise performance since most of communication systems operate in noisy environments. Furthermore, to keep low-noise amplification over a wide frequency band, the transistor noise resistance Rn must be substantially reduced to make the system insensitive to impedance matching. Since this can be realized through large gate-width devices, a novel large gate-width FET noise model is proposed which efficiently integrates EM wave propagation effects, one of the most important EM effects in mm-wave frequencies.

نمونه متن ترجمه

چکیده

در محدوده فرکانس موج میلی متری، تاثیرات الکترومغناطیسی (EM) رفتار دستگاه را بطور قابل توجهی تحت تاثیر می گذارند. بعنوان هسته سیستم های ارتباطاتی مدرن، دستگاه های فعالی مانند ترانزیستورهای اثر میدان (FETها) به مدل های به روز نیاز دارند تا بصورت دقیقی این تاثیرات را ادغام کنند، بخصوص در شرایط عملکرد نویز، چرا که بیشتر سیستم های ارتباطاتی در محیط های نویزدار فعالیت می کنند. علاوه بر این، برای تقویت نویز پائین در طول یک باند فرکانسی وسیع، مقاومت Rn باید بطور قابل ملاحظه ای کاهش یابد تا عدم حساسیت سیستم به تطبیق امپدانس ایجاد شود. از آنجا که این را می توان از طریق دستگاه های عرض گیت بزرگ تحقق بخشید، یک مدل نویز FET عرض گیت بزرگ ارائه می شود که بطور کارآمدی اثرات انتشار موج EM، یکی از مهمترین اثرات EM در فرکانس های موج میلی متری، را ادغام می-کند.