اثر بدنه
برای عملکرد صحیح ترانزیستور هر دو پیوند BS وBD باید بصورت معکوس بایاس شده باشند. معمولا بدنه یک ترانزیستور NMOS به منفی ترین ولتاژ مدار وصل میشود. با افزایش VSB ناحیه تخلیه بین پایه و سورس نیز بزرگتر میشود و در نتیجه در ناحیه زیر کانال پیشروی مینماید. از آنجائیکه بار منفی زیادی در ناحیه تخلیه جمع شده در نتیجه ولتاژ لازم برای ایجاد کانال افزایش می یابد. به این اثر body Effect گفته میشود. این اثر میتواند کارائی مدار را تاحد زیادی تحت تاثیر قرار دهد.
اثر حرارت
مقدار Vt به ازای هر درجه افزایش در حرارت به اندازه ~۲mV افزایش پیدا میکند. مقدار kn با حرارت کاهش پیدا میکند در نتیجه مقدار iD با افزایش دما کاهش پیدا میکند. برای یک مقدار ثابت از ولتاژ بایاس میتوان گفت که در حالت کلی با افزایش دما مقدار جریان iD کاهش می یابد.
شکست و محافظت از ورودی
با افزایش ولتاژ درین به نقطه ای میرسیم که پیوند درین وپایه بصورت بهمنی شکست پیدا میکند (بین ۲۰ تا ۱۵۰ ولت) و باعث میشود تا جریان خیلی زیاد شود.(Weak avalanche) در ترانزیستور هایی که ناحیه کانال کوچک باشد با افزایش ولتاژ درین ناحیه تخلیه گسترش زیادی پیدا کرده و تا سورس امتداد پیدا می نماید. این پدیده punch through نامیده شده و باعث افزایش زیاد جریان میشود. پیدیده شکست دیگری وجود دارد که با افزایش ولتاژ گیت-سورس رخ میدهد ( در حدود ۳۰ ولت). این پدیده باعث از بین رفتن عایق ناحیه گیت شده و به ترانزیستور ماسفت صدمه غیر قابل برگشت میزند. (Gate-oxide breakdown ) باید توجه شودکه مقاومت ورودی MOSFET خیلی بالا و خازن ورودی آنها خیلی کم است لذا یک بار الکتریکی ساکن کم هم میتواند ولتاژ گیت را از آستانه شکست بالا برده و ترانزیستور را بسوزاند. ( ازاینرو بایدازلمس کردن ترانزیستور با دست خودداری کرد). البته امروزه اکثر نیمه هادی های MOSFET دارای مدارات دیودی درورودی برای محافظت ازترانزیستور میباشند.
- تمامی حقوق مادی و معنوی این محصول متعلق به گروه آموزشی ایران عرضه بوده و هرگونه انتشار این مقاله پاورپوینت به صورت انبوه بدون اخطار قبلی پیگرد قانونی در پی خواهد داشت.
