تلفن: 04142273781

ترجمه مقاله توصیف دینامیک فاصله کوچک رابط در ترانزیستور های آلی نازک لایه ایجاد کننده هیسترزیس – نشریه الزویر

عنوان فارسی: توصیف دینامیک فاصله کوچک ( تله) رابط در ترانزیستور های آلی نازک لایه، به عنوان مسئول ایجاد هیسترزیس
عنوان انگلیسی: Characterization of interface trap dynamics responsible for hysteresis in organic thin-film transistors
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 5 تعداد صفحات ترجمه فارسی : 12
سال انتشار : 2015 نشریه : الزویر - Elsevier
فرمت مقاله انگلیسی : PDF فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده
کد محصول : 7072 رفرنس : دارد
محتوای فایل : zip حجم فایل : 1.66Mb
رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله: الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی، مهندسی الکترونیک و برق قدرت
مجله: الکترونیک ارگانیک - Organic Electronics
دانشگاه: گروه مهندسی الکترونیک و کامپیوتر، دانشگاه علم و صنعت هنگ کنگ
کلمات کلیدی: ترانزیستورهای فیلم نازک آلی، هیسترزیس، دامنه رابط، مشخصه
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر : ترجمه شده است
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر: ترجمه نشده است
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است
ترجمه این مقاله با کیفیت عالی آماده خرید اینترنتی میباشد. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
فهرست مطالب

چکیده

1.مقدمه

2. ساختار دستگاه و اندازه گیری های جامع گیت به صورت دو سویه

3. تعیین نرخ حبس بار

4. تعیین نرخ آزاد سازی بار

5. نتایج

نمونه متن انگلیسی

Abstract

In this paper, the current hysteresis of organic thin film transistors (OTFTs) formed by TIPS-Pentacene has been demonstrated by bi-directional gate-voltage scan and explained using the trapping and detrapping mechanism. The trapping and detrapping rates have been further verified by the gate-voltage sampling method and the channel charge pumping method. The validity of the methods to characterize interface states of OTFTs that lead to the hysteresis is justified. The two independent methods consistently reveal that the hole trapping and release rates at the interface between the channel of the OTFTs to the gate dielectric are asymmetric.

نمونه متن ترجمه

چکیده

در این مقاله ، هیسترزیس جریانی ترانزیستور های آلی نازک لایه ( OTFT ) ساخته شده با TIPS-Pentacene ، با استفاده از پویش های دو طرفه ولتاژ گیت نشان داده شده و با استفاده از روش های تله گذاری و یا رها سازی الکترون ها ، توضیح داده شده است. نرخ حبس و یا رها سازی نیز توسط نمونه گیری ولتاژ گیت و روش پمپ بار کانال ، تایید شده است. اعتبار روش ها برای توصیف وضعیت های سطح واسط OTFT ها که موجب هیسترزیس میشود نیز مورد بررسی قرار گرفته است. دو روش مستقل نیز بدون تناقض تایید میکنند که تله گذاری حفره ها و نرخ آزاد سازی در سطح رابط بین کانال OTFT به دی الکتریک گیت ، نا متقارن است.