تلفن: ۰۴۱۴۲۲۷۳۷۸۱
تلفن: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴

ترجمه مقاله ‌اندازه‌گیری های دوز ورودی برای دوزسنجی با دیود در محیط طبیعی – نشریه وایلی

عنوان فارسی: ‌اندازه‌گیری های دوز ورودی برای دوزسنجی با دیود در محیط طبیعی: مقایسه ضرایب اصلاحی برای دو نوع ردیاب دیودی سیلیکونی تجاری
عنوان انگلیسی: Entrance dose measurements for in-vivo diode dosimetry: Comparison of correction factors for two types of commercial silicon diode detectors
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 8 تعداد صفحات ترجمه فارسی : 11
سال انتشار : 2000 نشریه : وایلی - Wiley
فرمت مقاله انگلیسی : PDF فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده
کد محصول : 7852 رفرنس : دارد
محتوای فایل : zip حجم فایل : 683.10Kb
رشته های مرتبط با این مقاله: پزشکی
گرایش های مرتبط با این مقاله: فیزیک پزشکی و پرتو درمانی
مجله: مجله کاربردی فیزیک پزشکی بالینی - JOURNAL OF APPLIED CLINICAL MEDICAL PHYSICS
دانشگاه: گروه رادیوتراپی، دانشکده پزشکی ویسکانسین
کلمات کلیدی: دوزسنجی در محیط طبیعی، ردیاب دیودی
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: ترجمه شده است
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: ترجمه نشده است
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است
ترجمه این مقاله با کیفیت عالی آماده خرید اینترنتی میباشد. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
فهرست مطالب

مقدمه

مواد و روش‌ها

قرائت‌های دیود و ضرایب اصلاحی

ردیاب‌های دیودی و اندازه‌گیری‌ها

نتایج

ضرایب اصلاحی TSD

وابستگی به ابعاد میدان

ضرایب اصلاحی گوه

تشریح مطالب

نتیجه‌گیری

نمونه متن انگلیسی

Silicon diode dosimeters have been used routinely for in-vivo dosimetry. Despite their popularity, an appropriate implementation of an in-vivo dosimetry program using diode detectors remains a challenge for clinical physicists. One common approach is to relate the diode readout to the entrance dose, that is, dose to the reference depth of maximum dose such as dmax for the 10310 cm2 field. Various correction factors are needed in order to properly infer the entrance dose from the diode readout, depending on field sizes, target-to-surface distances ~TSD!, and accessories ~such as wedges and compensate filters!. In some clinical practices, however, no correction factor is used. In this case, a diode-dosimeter-based in-vivo dosimetry program may not serve the purpose effectively; that is, to provide an overall check of the dosimetry procedure. In this paper, we provide a formula to relate the diode readout to the entrance dose. Correction factors for TSD, field size, and wedges used in this formula are also clearly defined. Two types of commercial diode detectors, ISORAD ~n-type! and the newly available QED ~p-type! ~Sun Nuclear Corporation!, are studied. We compared correction factors for TSDs, field sizes, and wedges. Our results are consistent with the theory of radiation damage of silicon diodes. Radiation damage has been shown to be more serious for n-type than for p-type detectors. In general, both types of diode dosimeters require correction factors depending on beam energy, TSD, field size, and wedge. The magnitudes of corrections for QED ~p-type! diodes are smaller than ISORAD detectors.

نمونه متن ترجمه

دوزسنج‌های دیودی سیلیکونی بطور معمول برای دوزسنجی در محیط طبیعی کاربرد داشته‌اند. با وجود محبوبیت این دوزسنج‌ها، اجرای مناسب برنامه دوزسنجی در محیط طبیعی با استفاده از ردیاب‌های دیودی هم چنان چالشی برای پزشکان بالینی است. یک روش رایج مرتبط‌سازی قرائت دیود با دوز ورودی است، یعنی ایجاد رابطه‌ای بین عمق مرجع دوز بیشینه مانند dmax برای میدان 10×10 سانتیمترمربع. ضرایب اصلاحی گوناگونی برای استنتاج درست دوز ورودی از قرائت دیود بسته به ابعاد میدان، فواصل هدف تا سطح (TSD) و وسایل جانبی (مانند گوه‌ها و فیلترهای جبرانی) نیاز است. با این حال، در برخی شیوه‌های بالینی هیچ ضریب اصلاحی استفاده نمی شود. در این حالت، برنامه دوزسنجی مبتنی بر دوزسنج دیودی در محیط طبیعی ممکن است برای این منظور استفاده کارآمدی نداشته باشد؛ به عبارتی دیگر، ممکن است برای بررسی کلی شیوه دوزسنجی بکار نیاید. در این مقاله، رابطه‌ای برای مرتبط کردن قرائت دیود با دوز ورودی ارائه می‌کنیم. ضرایب اصلاحی برای TSD، اندازه میدان و گوه‌های مورد استفاده در این رابطه نیز به وضوح تعریف می‌شوند. دو نوع ردیاب دیودی تجاری‌ ISORAD (تیپ n) و QED جدید (تیپ p‌ ((شرکت Sun Nuclear) بررسی می‌شوند. ما ضرایب اصلاحی را برای TSDها، اندازه‌های مختلف میدان و گوه‌ها مقایسه کردیم. نتایج‌مان با نظریه آسیب تشعشع دیودهای سیلیکونی مطابقت داشتند.  ثابت شده که آسیب تشعشع برای ردیاب‌های تیپ n نسبت به تیپ p جدی‌تر است. بطور کلی، هر دو تیپ دوزسنج دیودی بسته به انرژی پرتو، TSD، اندازه میدان و گوه به ضرایب اصلاحی نیاز دارند. شدت اصلاحات برای دیودهای  QED (تیپ p) کمتر از ردیاب‌های ISORAD است.