ترجمه مقاله طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی برای یک مدار ادغام یافته مقاوم به تابش - نشریه IEEE

قیمت خرید این محصول

۳۳,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی برای یک مدار ادغام یافته مقاوم به تابش

عنوان انگلیسی

Dummy Gate-Assisted n-MOSFET Layout for a Radiation-Tolerant Integrated Circuit

صفحات مقاله فارسی

18

صفحات مقاله انگلیسی

7

سال انتشار

2013

نشریه

آی تریپل ای - IEEE

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

ندارد

کد محصول

7783

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول

ترجمه نشده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول

ترجمه نشده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق

گرایش های مرتبط با این مقاله

مهندسی الکترونیک، مدارهای مجتمع الکترونیک و الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی

مجله

تراکنش ها در علوم هسته ای - TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE

دانشگاه

بخش مهندسی برق، دانشکده مهندسی برق و علوم کامپیوتری، موسسه پیشرفته علم و صنعت، کره

کلمات کلیدی

طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی، اصلاح طرح، سخت شدن تابش، جریان نشتی ناشی از تابش، دوز یونیزه کلی

فهرست مطالب

چکیده
1. مقدمه
2. ساختار N-MOSFET DGA ارائه شده
الف. شرح طرح
ب. ملاحظات طراحی طرح
ج. مشخصات ساختاری
د. سازگاری طرح
3. نتایج شبیه سازی
الف. ساختار با n-MOSFET معمولی
ب. ساختار n-MOSFET DGA ارائه شده
4. نتایج تجربی
5. نتیجه گیری

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

Abstract

A dummy gate-assisted n-type metal oxide semiconductor field effect transistor (DGA n-MOSFET) layout was evaluated to demonstrate its effectiveness at mitigating radiation-induced leakage currents in a conventional n-MOSFET. In the proposed DGA n-MOSFET layout, radiation-induced leakage currents are settled by isolating both the source and drain from the sidewall oxides using a layer and dummy gates. Moreover, the dummy gates and dummy Metal-1 layers are expected to suppress the charge trapping in the sidewall oxides. The inherent structure of the DGA n-MOSFET supplements the drawbacks of the enclosed layout transistor, which is also proposed in order to improve radiation tolerance characteristics. The simulation results of the DGA n-MOSFET layout demonstrated the effectiveness of eliminating such radiation-induced leakage current paths. Furthermore, the radiation exposure experimental results obtained with the fabricated DGA n-MOSFET layout also exhibited good performance with regard to the total ionizing dose tolerance. I

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکیده

یک طرح (DGA n-MOSFET) ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلزی نیمه هادی نوع – n با کمک گیت ساختگی به منظور نشان دادن اثربخشی آن در کاهش جریان های نشتی ناشی از تابش در یک n-MOSFET معمولی ارزیابی می شود. در طرح DGA n-MOSFET ارائه شده، جریان های نشتی ناشی از تابش با مجزاسازی منبع و درین از اکسیدهای پوشه ای با استفاده از یک لایه p + و گیت های ساختگی حل و فصل می شوند. علاوه بر این، انتظار بر این است که گیت های ساختگی و لایه های فلز-1 ساختگی به دام انداختن بار در اکسیدهای پوشه ای را جبرانسازی کنند. ساختار ذاتی DGA n-MOSFET معایب ترانزیستور طرح محصور را تکمیل می کند، که به منظور بهبود مشخصات تحمل تابش ارائه شده است. نتایج شبیه سازی از طرح DGA n-MOSFET نشان دهنده اثربخشی حذف چنین مسیرهای جریان نشت ناشی از تابش است. علاوه بر این نتایج تجربی به دست آمده از قرار گرفتن در معرض تابش با طرح DGA n-MOSFET ساخته شده نیز نشان دهنده عملکرد خوب با توجه به تحمل دوز یونیزه کلی است.

برچسب‌ها: دانلود رایگان مقالات انگلیسی مهندسی برق