تلفن: ۰۴۱۴۲۲۷۳۷۸۱
تلفن: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴

ترجمه مقاله سنسور نوری با حساسیت بالا مبتنی بر ترانزیستور ماسفت با گیت احاطه کننده استوانه ای – نشریه الزویر

عنوان فارسی: طراحی و تحلیل سنسور نوری با حساسیت بالا مبتنی بر ترانزیستور ماسفت با گیت احاطه کننده استوانه ای برای کاربردهای با توان مصرفی کم
عنوان انگلیسی: Design and analysis of high sensitivity photosensor using Cylindrical Surrounding Gate MOSFET for low power applications
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 7 تعداد صفحات ترجمه فارسی : 14
سال انتشار : 2016 نشریه : الزویر - Elsevier
فرمت مقاله انگلیسی : PDF فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده
کد محصول : 6818 رفرنس : دارد
محتوای فایل : zip حجم فایل : 1.57Mb
رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله: مهندسی کنترل، ابزار دقیق، برق مخابرات و مخابرات نوری
مجله: علوم مهندسی و فناوری، نشریه بین المللی - Engineering Science and Technology
دانشگاه: گروه ECE، پنجاب، هند
کلمات کلیدی: ATLAS 3D، جریان تاریکی، ماسفت با گیت احاطه کننده استوانه ای (CSG MOSFET)، سنسور نوری، بازده کوانتمی، پاسخ ده
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: ترجمه شده است
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: ترجمه نشده است
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است
ترجمه این مقاله با کیفیت عالی آماده خرید اینترنتی میباشد. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
فهرست مطالب

چکیده

1- معرفی

2- ساختار قطعه و ساختار شبیه سازی

3- نتایج شبیه سازی و تحلیل

4- نتیجه گیری

نمونه متن انگلیسی

Abstract

In this paper, a high sensitivity photosensor is proposed that utilizes the Zinc Oxide (metallic ZnO) which act as a transparent optical window over channel. High sensitivity is achieved by using Cylindrical Surrounding Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (CSG MOSFET). On being exposed to light there is substantial increase in conductance and thereby change in the subthreshold current under exposure is utilized as a sensitivity parameter. Most of the Conventional FET based photosensors that are available utilizes threshold voltage as the parameter for sensitivity comparison but in this proposed sensor, under illumination change in the conductance resulting in variation of the subthreshold current is considered to be the sensitivity parameter. Performance comparison with Double Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DG MOSFET) in terms of sensitivity, threshold voltage and Ion/Ioff ratio is also done and observed results shows that CSG MOSFET is an ideal candidate for being used as a high sensitivity photosensor because in CSG MOSFET due to effective control of gate over channel low dark current, high sensitivity, low threshold voltage and high Ion/Ioff ratio can be achieved. Further impact of channel radius on responsivity (Re), quantum efficiency (Qe) and Ion/Ioff ratio is also studied for the proposed device.

نمونه متن ترجمه

چکیده

در این مقاله یک سنسور نوری با حساسیت بالا ارایه شده است که در آن از اکسید روی استفاده شده است که به عنوان یک پنجره شفاف نوری روی کانال عمل می کند. حساسیت بالا با استفاده از ترانزیستور ماسفت با گیت احاطه کننده استوانه ای  (CSG MOSFET)به دست آمده است. هنگامی که قطعه در معرض نور قرار می گیرد یک افزایش قابل توجه در هدایت ایجاد می شود و در نتیجه تغییرات جریان زیر آستانه به عنوان پارامتر اندازه گیری حساسیت مورد استفاده قرار می گیرد. در اکثر سنسورهای نوری مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدانی ولتاژ آستانه به عنوان پارامتر مقایسه حساسیت استفاده می شود ولی در سنسور ارایه شده این مقاله تغییرات جریان استانه تحت تابش به عنوان پارامتر حساسیت مورد بررسی قرار می گیرد. همچنین عملکرد سنسور ارایه شده با سنسورهای مبتنی بر ترانزیستور ماسفت از نظر حساسیت ، ولتاژ آستانه و نسبت جریان روشن به جریان خاموش Ion/Ioff مقایسه شده است. نتایج نشان می دهد که ماسفت CSG به دلیل کنترل موثر گیت روی کانال یک قطعه مناسب به عنوان سنسور نوری با حساسیت بالا است. با استفاده از این سنسور حساسیت بالا ، جریان تاریکی پایین ، Ion/Ioff بالا و جریان آستانه پایین قابل دستیابی است. علاوه بر این اثر شعاع کانال به پاسخ دهی (Re) و بازده کوانتمی (Qe) و Ion/Ioff مورد بررسی قرار گرفته است.

محصولات مشابه