تلفن: ۰۴۱۴۲۲۷۳۷۸۱
تلفن: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴

ترجمه مقاله محاسبات زیرباند خود سازگاری از AlGaN / GaN ناهمگونی های منفرد – نشریه وایلی

عنوان فارسی: محاسبات زیرباند خود سازگاری از AlGaN / GaN ناهمگونی های منفرد
عنوان انگلیسی: Self-Consistent Subband Calculations of AlGaN/GaN Single Heterojunctions
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 10 تعداد صفحات ترجمه فارسی : 17
سال انتشار : 2002 نشریه : وایلی - Wiley
فرمت مقاله انگلیسی : PDF فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده
کد محصول : 8015 رفرنس : دارد
محتوای فایل : zip حجم فایل : 1.10Mb
رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق و فیزیک
گرایش های مرتبط با این مقاله: مهندسی الکترونیک و فیزیک کاربردی
مجله: مجله ETRI
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: ترجمه نشده است
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: ترجمه نشده است
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است
ترجمه این مقاله با کیفیت عالی آماده خرید اینترنتی میباشد. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
فهرست مطالب

چکیده

I. مقدمه

II. قطبش پیزوالکتریک و خود به خودی

III. ساختار زیرباند

IV. نتیجه گیری

نمونه متن انگلیسی

We present a self-consistent numerical method for calculating the conduction-band profile and subband structure of AlGaN/GaN single heterojunctions. The subband calculations take into account the piezoelectric and spontaneous polarization effect and the Hartree and exchange-correlation interaction. We calculate the dependence of electron sheet concentration and subband energies on various structural parameters, such as the width and Al mole fraction of AlGaN, the density of donor impurities in AlGaN, and the density of acceptor impurities in GaN, as well as the electron temperature. The electron sheet concentration was sensitively dependent on the Al mole fraction and width of the AlGaN layer and the doping density of donor impurities in the AlGaN. The calculated results of electron sheet concentration as a function of the Al mole fraction are in excellent agreement with some experimental data available in the literature.

نمونه متن ترجمه

ما در این مقاله یک روش عددی خود سازگاری را برای محاسبه مشخصات باند هادی و ساختار زیرباند  AlGaN / GaN  ناهمگونی های منفرد ارائه دادیم. براوردهای زیرباند اثر قطبش های پیزوالکتریک و خود به خودی و Hartree  و اثر متقابل تبادل – همبستگی را محاسبه می کنند. ما وابستگی تمرکز صفحات الکترون و انرژی های زیرباند را با پارامترهای مختلف سازه ای، مانند عرض و کسر مولی Al AlGaN، چگالی ناخالصی اعطا کننده در AlGaN، و چگالی ناخالصی های پذیرنده GaN، و همچنین دمای الکترونی را محاسبه کردیم. تمرکز صفحات الکترون به طور حساسی به کسر مولی Al و عرض لایه AlGaN و تقویت چگالی ناخالصی های اعطا کننده در AlGaN وابسته است. نتایج محاسبه شده از تمرکز صفحات الکترون که تابعی از کسر مولی Al است با برخی از داده های تجربی موجود در مقالات مطابقت دارد.