دانلود ترجمه مقاله نقش نفوذ لایه مرزی در رشد رسوبدهی بخار نانو ورقه های کالکوژنید

قیمت خرید این محصول

۳۳,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

نقش نفوذ لایه مرزی در رشد رسوبدهی بخار نانو ورقه های کالکوژنید: مورد GeS

عنوان انگلیسی

Role of Boundary Layer Diffusion in Vapor Deposition Growth of Chalcogenide Nanosheets: The Case of GeS

صفحات مقاله فارسی

19

صفحات مقاله انگلیسی

10

سال انتشار

2012

نشریه

Acsnano

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد

کد محصول

4623

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول

ترجمه شده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول

ترجمه شده است

وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه

به صورت عکس، درج شده است

رشته های مرتبط با این مقاله

فیزیک، شیمی و مهندسی مواد

گرایش های مرتبط با این مقاله

اتمی مولکولی، ذرات بنیادی، شیمی فیزیک، شیمی تجزیه، نانومواد، علوم و فناوری نانو، نانوشیمی و فیزیک کاربردی

مجله

انجمن شیمی آمریکا (American Chemical Society)

دانشگاه

بخش مهندسی و علوم مواد، گروه فیزیک، دانشکده مهندسی شیمی، دانشگاه ایالتی کارولینای شمالی، رالی

کلمات کلیدی

نانو ورقه ها، لایه مرزی، نفوذ محدود، رسوبدهی بخار، ترکیب لایه ای

فهرست مطالب

چکیده
نتایج و بحث
نتایج

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

ABSTRACT

We report a synthesis of singlecrystalline two-dimensional GeS nanosheets using vapor deposition processes and show that the growth behavior of the nanosheet is substantially different from those of other nanomaterials and thin films grown by vapor depositions. The nanosheet growth is subject to strong influences of the diffusion of source materials through the boundary layer of gas flows. This boundary layer diffusion is found to be the rate-determining step of the growth under typical experimental conditions, evidenced by a substantial dependence of the nanosheet's size on diffusion fluxes. We also find that highquality GeS nanosheets can grow only in the diffusion-limited regime, as the crystalline quality substantially deteriorates when the rate-determining step is changed away from the boundary layer diffusion. We establish a simple model to analyze the diffusion dynamics in experiments. Our analysis uncovers an intuitive correlation of diffusion flux with the partial pressure of source materials, the flow rate of carrier gas, and the total pressure in the synthetic setup. The observed significant role of boundary layer diffusions in the growth is unique for nanosheets. It may be correlated with the high growth rate of GeS nanosheets, ∼35 μm/min, which is 1 order of magnitude higher than other nanomaterials (such as nanowires) and thin films.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکیده: در این مقاله روش سنتز نانوورقه های GeS دو بعدی تک بلوری با استفاده از پروسه های رسوبدهی بخار را گزارش و نشان می دهیم رفتار رشد نانو ورقه اساساً با سایر مواد نانو و فیلم های نازک رشد کرده با رسوبدهی بخار تفاوت دارد. رشد نانوورقه تابع تاثیرات قوی نفوذ مواد منبع درلایه مرزی جریانات گازی می باشد. نفوذ لایه مرزی به عنوان مرحله تعیین کننده نرخ رشد تحت شرایط آزمایشی نمونه شناخته شده است، که وابستگی قابل توجه اندازه نانوورقه به شارنفوذ گواه این مسئله می باشد. همچنین این گونه استنباط می کنیم که نانوورقه های GeS با کیفیت بالا تنها در رژیم نفوذ محدود توانایی رشد دارد، زیرا با تغییر مرحله تعیین کننده نرخ رشد از نفوذ لایه مرزی، کیفیت بلوری به طول قابل توجهی تحلیل می رود. در اینجا مدل ساده ای برای آنالیز دینامیک نفوذ در آزمایشات ارائه می کنیم. آنالیز پیشنهادی، همبستگی شهودی شار نفوذ با فشار جزئی مواد منبع، دبی گاز حامل، و فشار کل در راه اندازی سینتتیک را آشکار می سازد. نقش مهم مشاهده شده نفوذهای لایه مرزی در رشد، برای نانوورقه ها منحصر به فرد و بی نظیر است.

برچسب‌ها: دانلود رایگان مقالات انگلیسی شیمی، دانلود رایگان مقالات انگلیسی مهندسی مواد و متالورژی، دانلود رایگان مقالات انگلیسی فیزیک