تلفن: ۰۴۱۴۲۲۷۳۷۸۱
تلفن: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴

ترجمه مقاله ترانزیستورهای اثر میدانی بر اساس حامل های بار پروتونی – نشریه الزویر

عنوان فارسی: ترانزیستورهای اثر میدانی بر اساس حامل های بار پروتونی
عنوان انگلیسی: Field effect transistor based on protons as charge carriers
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 4 تعداد صفحات ترجمه فارسی : 5
سال انتشار : 2010 نشریه : الزویر - Elsevier
فرمت مقاله انگلیسی : PDF فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده
کد محصول : 8773 رفرنس : دارد ✓
محتوای فایل : zip حجم فایل : 660.76Kb
رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله: سیستمهای قدرت، مهندسی الکترونیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی
مجله: مقالات Eurosensors
دانشگاه: گروه فناوری میکروسیستم، موسسه سنسورها و سیستمهای فعال کننده، دانشگاه تکنولوژی وین، اتریش
کلمات کلیدی: نانوسیالیت، انتقال الکترون، ترانزیستور اثر میدانی
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر: ترجمه شده است ✓
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر : ترجمه نشده است ☓
وضعیت ترجمه منابع داخل متن: درج نشده است ☓
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است ✓
ترجمه این مقاله با کیفیت عالی آماده خرید اینترنتی میباشد. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
فهرست مطالب

چکیده

1.مقدمه

2.نظریه تئوری انتقال یون در نانوکانال¬های محدود شده

3. طراحی و ساخت

4. خصوصیات دستگاه و اندازه گیری ها

5. نتیجه گیری

نمونه متن انگلیسی

Abstract

We demonstrated a field effect transistor based on the modulation of the proton flow in confined water-containing nanochannels. The device resembles an MOSFET transistor with the difference that the charge carriers here are ions (i.e. protons) instead of electrons. The effective cross-section of the conductive channels in the transistor is defined by the intensity of the electrical double layer and by the potential applied to the transistor gate.

نمونه متن ترجمه

چکیده

ترانزیستور اثرمیدانی بر اساس مدولاسیون جریان پروتونی در نانوکانال های حاوی آب محدود شده ارائه کرده ایم. این دستگاه، شبیه ترانزیستور MOSEFET است؛ با این تفاوت که حامل های بار در اینجا به جای الکترون ها، یون ها (یعنی پروتون ها) هستند. مقطع عرضی موثر کانال های هادی در این ترانزیستور با شدت دولایه الکتریکی و پتانسیل اعمال شده به گیت (ورودی) ترانزیستور تعریف شده ا ست.