تلفن: ۰۴۱۴۲۲۷۳۷۸۱
تلفن: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴

دانلود ترجمه مقاله ترانزیستور فرکانس بالا در کاربردهای کم نویز – مجله CiteSeerX

عنوان فارسی: نقش مدلهای ترانزیستور با فرکانس بالا در کاربردهای کم نویز
عنوان انگلیسی: High Frequency Transistor Models for Low Noise Applications
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 4 تعداد صفحات ترجمه فارسی : 6
نشریه : CiteSeerX فرمت مقاله انگلیسی : PDF
فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده کد محصول : 3002
محتوای فایل : zip حجم فایل : 643.48Kb
رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله: برق مخابرات و مخابرات نوری
دانشگاه: موسسه مهندسی برق و مخابرات نوری دانشگاه اشتوتگارت، آلمان
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: ترجمه شده است
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: ترجمه شده است
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس درج شده است
ترجمه این مقاله با کیفیت عالی آماده خرید اینترنتی میباشد. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
فهرست مطالب

فهرست موضوعات این مقاله:

چکیده

۱. مقدمه

۲. مدل نویز فرکانس بالای HEMT

مدلهای نویز با فرکانس بالا MOSFET

مدل نویز با فرکانس بالای SiGe HBT

 

نمونه متن انگلیسی

Abstract

Mobile communication is one of the fastest growing markets and demands a significant part of the integrated circuit sales. In the past transceivers in the GHz range have required silicon bipolar transistors or even GaAs devices. With the scaling of CMOS technology commercial fabrication lines offer n-channel MOSFET devices with a transit frequency beyond 20 GHz for very large scale integrated circuits. This paper compares the high frequency characteristics of the MOSFET with the SiGe heterostructure bipolar transistor and the GaAs based HEMT for low noise applications.

نمونه متن ترجمه

چکیده :

یکی از سریعترین بازارهای در حال رشد ، بازار ارتباط سیار (متحرک) بوده و بخش قابل توجهی از فروش مدار مجتمع را به خود اختصاص می دهد. در گذشته، دستگاههای گیرنده و فرستنده در محدوده GHz نیاز به ترانزیستورهای دو قطبی سیلیکونی یا حتی دستگاههای GaAs داشتند. با مقیاس بندی فناوری CMOS ، خطوط ساخت تجاری دستگاههای n کانالی MOSFET با فرکانس گذر بیشتر از 20GHz برای مدارهای مجتمع بسیار بزرگ عرضه می کنند. این مقاله، ویژگیهای MOSFET با فرکانس بالا را با ترانزیستور دو قطبی غیر هم ساختار SiGe و HEMT متکی بر GaAs در کاربردهای کم نویز را باهم مقایسه می کند.