دانلود ترجمه مقاله ترانزیستور فرکانس بالا در کاربردهای کم نویز - مجله CiteSeerX

قیمت خرید این محصول

۲۱,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

نقش مدلهای ترانزیستور با فرکانس بالا در کاربردهای کم نویز

عنوان انگلیسی

High Frequency Transistor Models for Low Noise Applications

صفحات مقاله فارسی

صفحات مقاله انگلیسی

سال انتشار

نشریه

CiteSeerX

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

کد محصول

3002

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول

ترجمه شده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول

ترجمه شده است

وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه

به صورت عکس درج شده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق

گرایش های مرتبط با این مقاله

برق مخابرات و مخابرات نوری

دانشگاه

موسسه مهندسی برق و مخابرات نوری دانشگاه اشتوتگارت، آلمان

فهرست مطالب

فهرست موضوعات این مقاله:

چکیده

۱. مقدمه

۲. مدل نویز فرکانس بالای HEMT

مدلهای نویز با فرکانس بالا MOSFET
مدل نویز با فرکانس بالای SiGe HBT

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

Abstract

Mobile communication is one of the fastest growing markets and demands a significant part of the integrated circuit sales. In the past transceivers in the GHz range have required silicon bipolar transistors or even GaAs devices. With the scaling of CMOS technology commercial fabrication lines offer n-channel MOSFET devices with a transit frequency beyond 20 GHz for very large scale integrated circuits. This paper compares the high frequency characteristics of the MOSFET with the SiGe heterostructure bipolar transistor and the GaAs based HEMT for low noise applications.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکیده :

یکی از سریعترین بازارهای در حال رشد ، بازار ارتباط سیار (متحرک) بوده و بخش قابل توجهی از فروش مدار مجتمع را به خود اختصاص می دهد. در گذشته، دستگاههای گیرنده و فرستنده در محدوده GHz نیاز به ترانزیستورهای دو قطبی سیلیکونی یا حتی دستگاههای GaAs داشتند. با مقیاس بندی فناوری CMOS ، خطوط ساخت تجاری دستگاههای n کانالی MOSFET با فرکانس گذر بیشتر از 20GHz برای مدارهای مجتمع بسیار بزرگ عرضه می کنند. این مقاله، ویژگیهای MOSFET با فرکانس بالا را با ترانزیستور دو قطبی غیر هم ساختار SiGe و HEMT متکی بر GaAs در کاربردهای کم نویز را باهم مقایسه می کند.