ترجمه مقاله تاثیر شرایط رسوب روی نانو خوشه های سیلیکون در فیلم های نیترید سیلیکون رشد یافته - نشریه IEEE

قیمت خرید این محصول

۳۱,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

تاثیر شرایط رسوب روی نانوخوشه های سیلیکون در فیلم های نیترید سیلیکون رشد یافته با استفاده از روش CVD به کمک لیزر

عنوان انگلیسی

Influence of Deposition Conditions on Silicon Nanoclusters in Silicon Nitride Films Grown by Laser-Assisted CVD Method

صفحات مقاله فارسی

14

صفحات مقاله انگلیسی

6

سال انتشار

2011

نشریه

آی تریپل ای - IEEE

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد

کد محصول

9239

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر

ترجمه شده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر

ترجمه نشده است

وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه

به صورت عکس، درج شده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق و فیزیک

گرایش های مرتبط با این مقاله

مهندسی الکترونیک، افزاره های میکرو و نانو الکترونیک، نانو فیزیک، فیزیک کاربردی و اپتوالکترونیک

مجله

یافته ها در حوزه نانوتکنولوژی - TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY

دانشگاه

گروه مهندسی برق، موسسه میکروالکترونیک، دانشگاه ملی چنگ کونگ، تینان، تایوان

کلمات کلیدی

سیستم CVD به کمک لیزر (LACVD)، فوتولومینسانس (PL)، اثر حبس کوانتومی، نانوخوشه های Si، ماتریس نیترید سیلیکون

فهرست مطالب

چکیده
1. مقدمه
2. رویه تجربی
3. نتایج و بحث های تجربی
4. نتیجه گیری

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

Abstract

Crystalline-silicon-nanocluster-embedded silicon nitride films were deposited at low temperature using a laser-assisted CVD (LACVD) system with various reactant gas flow rates and assisting laser power densities. The photoluminescence (PL) performances of the resultant films were studied, showing a systematic spectra blue shift, and the enhancement of PL intensity with the increase of the reactant NH3 /SiH4 gas flow rate ratio and the assisting laser power density used in the film deposition. The spectra blue shift can be ascribed to the decrease of the size of the nanoclusters in the films. It is also deduced that both the reduction of the amount of nonradiative centers in the nanoclusters and the increase of the number density of the nanoclusters in the film are responsible for the enhancement of the PL intensity. The film growth process is also briefly discussed.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکیده
فیلم های نیترید سیلیکون جاسازی شده- نانوخوشه- سیلیکون-بلوری در دمای پایین با استفاده از سیستم CVD به کمک لیزر (LACVD) با نرخ های مختلف جریان گاز واکنش دهنده و با کمک چگالی های قدرت لیزر رسوب داده شدند. عملکردهای فوتولومینسانس (PL) فیلم های حاصل مورد مطالعه قرار گرفتند و یک جابجایی آبی طیف سیستماتیک و افزایش شدت PL با افزایش نسبت نرخ جریان گاز NH3 /SiH4 واکنش دهنده و با کمک چگالی توان لیزر مورد استفاده در رسوب فیلم دیده شد. جابجایی آبی طیف را می توان به کاهش اندازه نانوخوشه ها در فیلم ها نسبت داد. همچنین استنباط می شود که کاهش مقدار مراکز غیرتابشی در نانوخوشه ها و افزایش چگالی تعداد نانوخوشه ها در فیلم، مسئول افزایش شدت PL هستند. فرآیند رشد فیلم نیز به طور خلاصه مورد بحث قرار خواهد گرفت.

برچسب‌ها: دانلود رایگان مقالات انگلیسی مهندسی برق، دانلود رایگان مقالات انگلیسی فیزیک