تلفن: ۰۴۱۴۲۲۷۳۷۸۱
تلفن: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴

ترجمه مقاله ابزارهای قدرت جانبی جدید پوشش سیلیکون بر عایق با اکسید مدفون – نشریه الزویر

عنوان فارسی: ابزارهای قدرت جانبی جدید پوشش سیلیکون بر عایق با اکسید مدفون
عنوان انگلیسی: New SOI lateral power devices with trench oxide
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 9 تعداد صفحات ترجمه فارسی : 14
سال انتشار : 2004 نشریه : الزویر - Elsevier
فرمت مقاله انگلیسی : PDF فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده
کد محصول : F807 رفرنس : دارد ✓
محتوای فایل : zip حجم فایل : 1.10Mb
رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله: مهندسی الکترونیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی
مجله: الکترونیک حالت جامد - Solid-State Electronics
دانشگاه: موسسه میکروالکترونیک، اتریش
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: ترجمه نشده است ☓
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: ترجمه نشده است ☓
وضعیت ترجمه منابع داخل متن: درج نشده است ☓
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است ✓
ترجمه این مقاله با کیفیت متوسط انجام شده است. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
فهرست مطالب

چکیده

1- مقدمه

2- ساختار های دستگاه

3- نتایج شبیه سازی

3-1 SJ SOI-LDMOSFET

3-2: SOI SA-LIGBT

4- نتیجه گیری

نمونه متن انگلیسی

Abstract

We describe new SOI lateral power devices which have a trench oxide to improve the device performance. Highvoltage super-junction (SJ) SOI-LDMOSFETs have a trench oxide in the drift region. It allows to reduce the drift length without degrading the breakdown voltage. With the proposed device structure a reduction of the on-resistance of the n-drift layer can be achieved. The breakdown voltage and the specific on-resistance of the suggested devices as a function of the trench oxide depth, the p-column width, and the doping are studied. Shorted-anode lateral insulatedgate bipolar transistors (SA-LIGBTs) on SOI have a trench oxide at the drain/anode region. It suppresses effectively the snap-back voltage inherent in conventional SA-LIGBTs without increasing the anode length of the device. Using the two-dimensional numerical simulator Minimos-NT, we confirm that the drift length of the proposed SJ SOILDMOSFETs is reduced to 65% compared to conventional devices, and a weak negative differential resistance region is observed with the proposed SOI SA-LIGBT.

نمونه متن ترجمه

چکیده

ما به توصیف ابزار های قدرت جانبی پوشش سیلیکون بر عایق جانبی می پردازیم که دارای یک اکسید مدفون برای بهبود عملکرد دستگاه است. SOI-LDMOSFET با ولتاژ بالا دارای یک اکسید مدفون است. این خود امکان کاهش طول رانش را بدون کاهش ولتاژ تجزیه می دهد. با ساختار ابزار پیشنهادی، کاهش مقاوم لایه رانش n می تواند حاصل شود. ولتاژ تجزیه و مقاومت ویژه قطعات پیشنهادی به صورت تابعی از عمق اکسید مدفون، پهنای ستون p و دوپینگ تعریف می شود. ترانزیستور های دو قطبی عایق جانبی با آند کوتاه بر روی SOI دارای اکسید مدفون در منطقه آند می باشند. این خود از ولتاز SA-LIGBT بدون افزایش طول آند جلوگیری می کند. با استفاده از یک شبیه ساز عددی دو بعدی، Minimos-NT، تایید می شود که طول رانش SJ SOILDMOSFET پیشنهادی به 65 درصد در مقایسه با ابزار های سنتی کاهش می یابد و منطقه مقاومت دیفرانسیل منفی با SOI SA-LIGBT مشاهده می شود.