ترجمه مقاله یک IC فرستنده ولتاژ بالا CMOS برای کاربردهای تصویربرداری پزشکی فراصوتی - نشریه IEEE

ترجمه مقاله یک IC فرستنده ولتاژ بالا CMOS برای کاربردهای تصویربرداری پزشکی فراصوتی - نشریه IEEE
قیمت خرید این محصول
۲۹,۰۰۰ تومان
دانلود مقاله انگلیسی
عنوان فارسی
یک IC فرستنده ولتاژ بالا CMOS برای کاربردهای تصویربرداری پزشکی فراصوتی
عنوان انگلیسی
A CMOS High-Voltage Transmitter IC for Ultrasound Medical Imaging Applications
صفحات مقاله فارسی
14
صفحات مقاله انگلیسی
5
سال انتشار
2013
نشریه
آی تریپل ای - IEEE
فرمت مقاله انگلیسی
PDF
فرمت ترجمه مقاله
ورد تایپ شده
رفرنس
دارد
کد محصول
F929
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول
ترجمه شده است
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر
ترجمه نشده است
رشته های مرتبط با این مقاله
مهندسی برق و مهندسی پزشکی
گرایش های مرتبط با این مقاله
پردازش تصاویر پزشکی، بیوالکتریک، مدارهای مجتمع الکترونیک و مهندسی الکترونیک
مجله
یافته ها در حوزه مدارها و سیستم ها - TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS
دانشگاه
موسسه میکروالکترونیک، آژانس علمی، فناوری و تحقیقات (A * STAR)، سنگاپور
کلمات کلیدی
مبدل فراصوتی خازنی میکروماشینی (CMUT)، بایاس گیت پویا، فرستنده با ولتاژ بالا (HV)، شیفت دهنده سطح، درایور خروجی، تصویربرداری پزشکی فراصوتی
فهرست مطالب
چکیده
1. مقدمه
2. معماری فرستنده HV
3. طراحی مدار
A. فرستنده قبلی HV
B. فرستنده HV پیشنهادی
4. نتایج تجربی
A. مشخصات ICفرستنده
B. آزمایش انتقال صوتی با IC و CMUT
5. نتیجه گیری
نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی
Abstract

A high-voltage (HV) transmitter integrated circuit for ultrasound medical imaging applications is implemented using 0.18-μm bipolar/CMOS/DMOS technology. The proposed HV transmitter achieves high integration by only employing standard CMOS transistors in a stacked configuration with dynamic gate biasing circuit while successfully driving the capacitive micromachined ultrasound transducer device immersed in an oil environment without breakdown reliability issues. The HV transmitter including the output driver and the voltage level shifters generates over 10-Vp−p pulses at 1.25-MHz frequency and occupies only 0.022 mm2 of core die area.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی
چکیده

مدار مجتمع فرستنده (HV) ولتاژ بالا برای کاربردهای تصویربرداری پزشکی فراصوتی با استفاده از فن آوری دو قطبی / CMOS / DMOS 0.18 میکرون پیاده سازی می شود. فرستنده HV پیشنهادی، تنها با استفاده از ترانزیستورهای CMOS استاندارد در یک پیکربندی پشته ای با مدار بایاس گیت پویا، به یکپارچگی بالا دستیابی پیدا می کند، در حالی که با موفقیت، دستگاه مبدل فراصوتی میکروماشینی خازنی غوطه ور در یک محیط روغنی را بدون مسائل قابلیت اطمینان شکست هدایت می نماید. فرستنده HV شامل درایور خروجی و شیفت دهنده های سطح ولتاژ، بیش از 10-Vp−p را در فرکانس 1.25 مگاهرتز تولید می کند و تنها 0.022 متر مربع از مساحت قالب هسته را اشغال می کند.


بدون دیدگاه