تلفن: 04142273781

دانلود پاورپوینت ترانزیستور ماسفت MOSFET

قیمت خرید این کالا
5,300 تومان
دانلود رایگان نمونه خرید و دانلود کالا
فرمت : پاورپوینت تعداد اسلایدها : 101
قابلیت ویرایش : دارد کد محصول : P40002
محتوای فایل : zip حجم فایل : 2.03Mb
عنوان مقاله: ترانزیستور ماسفت MOSFET
رشته مرتبط با این مقاله: مهندسی برق
این مقاله با فرمت پاورپوینت بوده و قابلیت ویرایش کامل دارد. پس از انجام خرید، بلافاصله محصول قابل دانلود میباشد.
توضیحات

گروه آموزشی فروشگاه اینترنتی ایران عرضه اقدام به تهیه مقاله پاورپوینتی با عنوان  ترانزیستور ماسفت برای رشته مهندسی برق نموده است.

فهرست

مقدمه

نحوه عملکرد

ایجاد کانالی برای عبور جریان

ترانزیستور NMOS

اعمال ولتاژی کوچک به درین و سورس

رابطه جریان و ولتاژ

افزایش ولتاژ VDS

اشباع ترانزیستور

بدست آوردن رابطه جریان و ولتاژ ترانزیستور MOSFET

جریان در ناحیه تریود

جریان در ناحیه اشباع

تکنولوژی زیر میکرونی(Sub Micron)

ترانزیستور MOSFET با کانال p (PMOS)

ترانزیستور CMOS

شمای ترانزیستورها

شمای ترانزیستور NMOS

عملکرد ترانزیستور در ناحیه زیر ولتاژ آستانه

مشخصه iD-VDS

مقاومت کانال

اثر محدود بودن مقاومت خروجی

اثر تغییر طول کانال در مقدار جریان

رابطه جریان خروجی و ولتاژ VDS

مقاومت خروجی

ترانزیستور PMOS

اثر بدنه و حرارت

شکست و محافظت از ورودی

مدارات MOSFET در حالت کار بصورتDC

استفاده از MOSFET در مدارات تقویت کننده

مشخصه انتقال ترانزیستور: کار با سیگنال بزرگ

بدست آوردن مشخصه انتقال به روش گرافیکی

مشخصه ولتاژ vi-vo

انتخاب نقطه کار مناسب

تحلیل عملکرد تقویت کننده از روی رابطه

روشهای مختلف بایاس کردن MOSFET

بایاس از طریق ثابت نگه داشتن VGS

تغییر جریان بواسطه تغییر در مشخصه های ترانزیستور های مختلف

بایاس از طریق ثابت نگه داشتن VG و قرار دادن مقاومت در سورس

مدار عملی

بایاس از طریق مقاومت فیدبک

بایاس از طریق یک منبع جریان ثابت

مدار منبع جریان ثابت (Current Mirror)

مدل سیگنال کوچک

نقطه بایاس DC

جریان سیگنال در درین

گین ولتاژ

مدار معادل سیگنال کوچک

آنالیز سیگنال کوچک

مدلT با در نظر گرفتن مقاومت خروجی

تقویت کننده های یک طبقه

تقویت کننده سورس مشترک

مشخصه های تقویت کننده سورس مشترک

تاثیر مقاومت خروجی ترانزیستور

تقویت کننده سورس مشترک با مقاومت در سورس

تقویت کننده گیت مشترک

مدل سیگنال کوچک تقویت کننده گیت مشترک

مشخصات تقویت کننده گیت مشترک

عملکرد MOSFET بعنوان سوئیچ

یک گیت NOT با استفاده از CMOS

نقطه کار برای ورودی صفر

مشخصه انتقال گیت معکوس کننده CMOS

نمونه متن ترجمه

در این مقاله المانی سه ترمینالی که ترانزیستور نامیده میشود را بررسی خواهیم کرد. ترانزیستور در مدارات زیادی از جمله تقویت کننده ها، مدارات دیجیتال و حافظه ها کاربرد دارد. اصول کلی کارکرد ترانزیستور بر این پایه است که با اعمال ولتاژ به دو ترمینال جریان ترمینال سوم را کنترل میکنند. دو نوع ترانزیستور مهم وجود دارد: MOSFET, BJT MOSFET ازBJT کوچکتر بوده و ساخت آن ساده تر بوده و توان کمتری مصرف میکند. در ساخت بسیاری از مدارات مجتمع کاربرد دارد.

بخشی از مقاله

در این مقاله المانی سه ترمینالی که ترانزیستور نامیده میشود را بررسی خواهیم کرد. ترانزیستور در مدارات زیادی از جمله تقویت کننده ها، مدارات دیجیتال و حافظه ها کاربرد دارد. اصول کلی کارکرد ترانزیستور بر این پایه است که با اعمال ولتاژ به دو ترمینال جریان ترمینال سوم را کنترل میکنند. دو نوع ترانزیستور مهم وجود دارد: MOSFET, BJT MOSFET ازBJT کوچکتر بوده و ساخت آن ساده تر بوده و توان کمتری مصرف میکند. در ساخت بسیاری از مدارات مجتمع کاربرد دارد.

اثر بدنه

برای عملکرد صحیح ترانزیستور هر دو پیوند BS وBD باید بصورت معکوس بایاس شده باشند. معمولا بدنه یک ترانزیستور NMOS به منفی ترین ولتاژ مدار وصل میشود. با افزایش VSB ناحیه تخلیه بین پایه و سورس نیز بزرگتر میشود و در نتیجه در ناحیه زیر کانال پیشروی مینماید. از آنجائیکه بار منفی زیادی در ناحیه تخلیه جمع شده در نتیجه ولتاژ لازم برای ایجاد کانال افزایش می یابد. به این اثر body Effect گفته میشود. این اثر میتواند کارائی مدار را تاحد زیادی تحت تاثیر قرار دهد.

اثر حرارت

مقدار Vt به ازای هر درجه افزایش در حرارت به اندازه ~۲mV افزایش پیدا میکند. مقدار kn با حرارت کاهش پیدا میکند در نتیجه مقدار iD با افزایش دما کاهش پیدا میکند. برای یک مقدار ثابت از ولتاژ بایاس میتوان گفت که در حالت کلی با افزایش دما مقدار جریان iD کاهش می یابد.

شکست و محافظت از ورودی

با افزایش ولتاژ درین به نقطه ای میرسیم که پیوند درین وپایه بصورت بهمنی شکست پیدا میکند (بین ۲۰ تا ۱۵۰ ولت) و باعث میشود تا جریان خیلی زیاد شود.(Weak avalanche) در ترانزیستور هایی که ناحیه کانال کوچک باشد با افزایش ولتاژ درین ناحیه تخلیه گسترش زیادی پیدا کرده و تا سورس امتداد پیدا می نماید. این پدیده punch through نامیده شده و باعث افزایش زیاد جریان میشود. پیدیده شکست دیگری وجود دارد که با افزایش ولتاژ گیت-سورس رخ میدهد ( در حدود ۳۰ ولت). این پدیده باعث از بین رفتن عایق ناحیه گیت شده و به ترانزیستور ماسفت صدمه غیر قابل برگشت میزند. (Gate-oxide breakdown ) باید توجه شودکه مقاومت ورودی MOSFET خیلی بالا و خازن ورودی آنها خیلی کم است لذا یک بار الکتریکی ساکن کم هم میتواند ولتاژ گیت را از آستانه شکست بالا برده و ترانزیستور را بسوزاند. ( ازاینرو بایدازلمس کردن ترانزیستور با دست خودداری کرد). البته امروزه اکثر نیمه هادی های MOSFET دارای مدارات دیودی درورودی برای محافظت ازترانزیستور میباشند.

نکات

- تنها در فروشگاه اینترنتی ایران عرضه میتوانید قبل از خرید برای اطمینان از محتوای محصول، قسمتی از مقاله پاورپوینت را به طور رایگان دانلود کنید و در صورت رضایت خریداری نمایید.

- اگر مایل به تغییر قالب فعلی مقاله پاورپوینتی که خریداری نموده اید، هستید، برای دریافت تم و قالب های آماده پاورپوینت تخصصی اینجا کلیک نمایید.

- تمامی حقوق مادی و معنوی این محصول متعلق به گروه آموزشی ایران عرضه بوده و هرگونه انتشار این مقاله پاورپوینت به صورت انبوه بدون اخطار قبلی پیگرد قانونی در پی خواهد داشت.