ترجمه مقاله OTA کاسکود تابیده بازچرخشی تک طبقه برای مدار های خازن سوییچ شونده - نشریه IEEE

ترجمه مقاله OTA کاسکود تابیده بازچرخشی تک طبقه برای مدار های خازن سوییچ شونده - نشریه IEEE
قیمت خرید این محصول
۲۴,۰۰۰ تومان
دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی
عنوان فارسی
OTA کاسکود تابیده بازچرخشی تک طبقه برای مدار های خازن سوییچ شونده
عنوان انگلیسی
Single-stage fully recycling folded cascode OTA for switched-capacitor circuits
صفحات مقاله فارسی
7
صفحات مقاله انگلیسی
2
سال انتشار
2015
نشریه
آی تریپل ای - IEEE
فرمت مقاله انگلیسی
PDF
فرمت ترجمه مقاله
ورد تایپ شده
رفرنس
دارد
کد محصول
9066
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول
ترجمه شده است
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول
ترجمه شده است
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه
به صورت عکس، درج شده است
رشته های مرتبط با این مقاله
مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله
مدارهای مجتمع الکترونیک، مهندسی الکترونیک و سیستمهای الکترونیک دیجیتال
مجله
اسناد الکترونیک - ELECTRONICS LETTERS
فهرست مطالب
مقدمه
نتیجه گیری
نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی
A single-stage multi-path operational transconductance amplifier (OTA) is presented. The proposed amplifier uses the transconductance enhancing technique in an upgraded folded cascode (FC) amplifier. It significantly improves the DC gain, unity-gain bandwidth and slew rate compared with previous FC amplifiers with the same power consumption. Simulation results in 90 nm complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) technology show that the proposed OTA achieves a 59.1 dB DC gain and a gain bandwidth of 650 MHz, which makes it suitable for fast-settling switched-capacitor circuits.
نمونه چکیده ترجمه متن فارسی
یک امپلی فایر ترانس کندوکتانس  عملیاتی چند مسیره تک طبقه ای در این مقاله ارایه شده است. امپلی فایر پیشنهادی از روش بهبود ترانس کندوکتانس در امپلی فایر کاسکود تابیده ارتقا یافته استفاده می کند. این به طور معنی داری موجب بهبود بهره DC، پهنای باند بهره واحد و نرخ نوسان ولتاژ در مقایسه با امپلی فایر های Fc با مصرف توان یکسان می شود.  نتایج شبیه سازی در فناور ینیمه هادی اکسید فلزی مکمل 90 تانومتری نشان می دهد که ota پیشنهادی به 59.1 دسیبل بهره dc و پهنای باند بهره 650 مگاهرتز می شود که برای مدار های خازن سوییچ شونده با زمان استقرار سریع مناسب است.

بدون دیدگاه